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圖1顯示了反向轉(zhuǎn)換器功率級和一次側(cè)MOSFET電壓波形。該轉(zhuǎn)換器將能量存儲于一個變壓器主繞組電感中并在MOSFET關(guān)閉時將其釋放到次級繞組。由于變壓器的漏極電感會使漏電壓升至反射輸出電壓（Vreset）以上，因此MOSFET關(guān)閉時通常會需要一個緩沖器。
存儲于漏極電感中的能量可使MOSFET產(chǎn)生雪崩現(xiàn)象，因此要添加一個由D1、R24和C6組成的鉗壓電路。該電路的鉗位電壓取決于漏電的能量大小以及電阻器的功率消耗。更小值的電阻雖然可以降低鉗位電壓，但會增加功率損耗。
圖1： FET關(guān)斷時漏極電感形成過電壓
圖2顯示的是變壓器主繞組和次級繞組的電流波形。左側(cè)是MOSFET開啟時的簡化功率級。輸入電流通過漏極電感和互電感的串聯(lián)組合斜坡上升。右邊顯示的是關(guān)斷期間的一個簡化電路。此處，電壓已反向至輸出二極管和鉗位二極管正向偏置的點。我們展示了反射到變壓器一次側(cè)的輸出電容器和二極管。
兩個電感為串聯(lián)，并在Q1關(guān)斷時初始傳輸相同的電流。這就是說關(guān)斷以后輸出二極管D2中并未立即出現(xiàn)電流，同時總變壓器電流在D1中流動。漏極電感的電壓是鉗位電壓和重位電壓之間的差，且往往會快速釋放漏電。如圖所示，經(jīng)過簡單計算便可得到分流至緩沖器的能量大小。因此您可以通過縮短釋放漏極電感中能量的時間，來減少分流能量。提高鉗位電壓可以實現(xiàn)這一目標(biāo)。
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