氮化鎵（GaN SiC）技術在高性能RF功率放大器（PAS）中的應用非常廣泛。雖然GaN每單位面積的成本仍然高于諸如砷化鎵（GaAs）或LDMOS等競爭技術的成本，但該技術已經成熟到每瓦的RF輸出功率的晶體管成本低于GaAs。有源相控陣雷達可以包含數百個放大器，因此可以在單個放大器上實現的任何成本降低很快地增加了顯著的成本節約。同時，該系統的射頻性能是最重要的，利用GaN在SiC晶體管上的功率放大器實現了優異的功率和效率。

　　Poptk RFI與Qorvo合作設計了QPD1020混合輸入匹配的GaN晶體管，其中包括在無源GaAs芯片上實現的內部輸入匹配。與一個不完全匹配到50Ω的預匹配晶體管不同，晶體管的輸入內部匹配到50Ω。這個晶體管被稱為“混合”，因為它使用了兩個分開的半導體技術。這種方法提供了GaN的性能和內部輸入匹配的便利性，與GaN MMIC相比，成本降低。

　　QPD1020內部輸入匹配是為2.7至3.5千兆赫頻率范圍設計的。對于S波段雷達應用，僅使用頻帶的一部分是常見的。因此，輸出匹配網絡可以在PCB上實現，以允許在期望頻帶上優化大信號性能以輸出功率或效率（或兩者之間的折衷）。

　　QPD1020可以用作有源相控陣雷達系統中的輸出級，或者用作高功率輸出級的驅動放大器。在2.7至3.1 GHz之間，還優化了輸出匹配網絡的伴隨PA參考設計，并在下文中進行了描述。

　　混合輸入匹配晶體管實現策略

　　有幾種實現GaN功率放大器的實用方法；

　　這些選項在表1中給出。

　　GaN MMIC在輸入和輸出兩個內部匹配到50Ω，具有提供最佳RF性能的潛力，特別是在較高的工作頻率下，并且需要PCB上的最小空間。然而，它通常是最昂貴的選項考慮，不能優化2不同的操作波段。一個在X波段工作的完全50匹配的單級GaN-PA設計的例子在第1條中被描述。

　　使用離散封裝的GaN晶體管實現的PA通常是最低成本的選擇，盡管它也往往是最大的尺寸。使用離散非匹配晶體管設計和實現一系列GaN PAS的例子，在第2章中描述。除了占據大多數PCB空間之外，這種方法還需要客戶設計水平的最高水平。

　　SiC上的GaN的每面積成本不可否認地高于GaAs，特別是當與相對較少的制造步驟的無源GaAs工藝相比時。因此，考慮使用低成本無源GaAs工藝的輸入匹配網絡和晶體管的高性能GaN工藝是有意義的。這樣的復合輸入匹配晶體管允許成本顯著降低，甚至考慮到在單個封裝中安裝和粘接兩個芯片的更復雜的組裝過程，而不犧牲性能。

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