資料介紹
無線手機使用的集成式RF功放器/濾波器前端:CMOS設計人員多年來一直把各種功能集成到大型集成電路中。大家已經看到,摩爾定律在日常生活中給性能和成本帶來了難以置信的影響。在移動通信終端中,許多元器件要么已經集成到RFIC中,要么因直接數字上/下變頻器的出現而消失。
在通信終端中,到目前一直有兩個RF元器件沒有集成,即濾波器和RF功放器,這兩種器件采用的構建技術都不兼容芯片上CMOS集成。在傳統上,濾波器一直采用陶瓷或表面聲波(SAW)技術構建,而RF功放器則一直使用GaAs異質結雙極晶體管(HBT)或FET器件構建。由于這些技術與RFIC使用的硅或SiGe工藝有著很大區別,因此功放器和濾波器一直作為分散器件,與現在執行手機大部分RF功能的大規模集成芯片組分開。聲音諧振器技術和先進的低噪聲高線性度晶體管技術已經明顯縮小了每種分散功能的體積。圖1是當前CDMA PCS手機設計中使用的單獨的薄膜腔聲諧振器(FBAR)濾波器和增強模式偽形態高電子遷移率晶體管(E-pHEMT)功放器。
但是,當前的單片電路濾波器和放大器技術允許設計人員突破RF集成障礙,重要的技術進步包括:
?? 表面聲波(SAW)濾波器
?? FBAR濾波器
?? 異質結雙極晶體管(HBTs)
?? E-pHEMT
由于每種技術都把某種RF功能精簡到單片電路設備上,因此可能需要重要舉措來提高集成度。以前的技術如陶瓷濾波器需要采用非單片電路結構,單片電路放大器集成起來很不方便。
在通信終端中,到目前一直有兩個RF元器件沒有集成,即濾波器和RF功放器,這兩種器件采用的構建技術都不兼容芯片上CMOS集成。在傳統上,濾波器一直采用陶瓷或表面聲波(SAW)技術構建,而RF功放器則一直使用GaAs異質結雙極晶體管(HBT)或FET器件構建。由于這些技術與RFIC使用的硅或SiGe工藝有著很大區別,因此功放器和濾波器一直作為分散器件,與現在執行手機大部分RF功能的大規模集成芯片組分開。聲音諧振器技術和先進的低噪聲高線性度晶體管技術已經明顯縮小了每種分散功能的體積。圖1是當前CDMA PCS手機設計中使用的單獨的薄膜腔聲諧振器(FBAR)濾波器和增強模式偽形態高電子遷移率晶體管(E-pHEMT)功放器。
但是,當前的單片電路濾波器和放大器技術允許設計人員突破RF集成障礙,重要的技術進步包括:
?? 表面聲波(SAW)濾波器
?? FBAR濾波器
?? 異質結雙極晶體管(HBTs)
?? E-pHEMT
由于每種技術都把某種RF功能精簡到單片電路設備上,因此可能需要重要舉措來提高集成度。以前的技術如陶瓷濾波器需要采用非單片電路結構,單片電路放大器集成起來很不方便。
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