產(chǎn)生EMC問題主要通過兩個(gè)途徑：一個(gè)是空間電磁波干擾的形式;另一個(gè)是通過傳導(dǎo)的形式，換句話說，產(chǎn)生EMC問題的三個(gè)要素是：電磁干擾源、耦合途徑、敏感設(shè)備。

　　MOS的并聯(lián)使用原則：

　　1.并聯(lián)的MOS必須為同等規(guī)格，最好是同一批次的。

　　2.并聯(lián)的MOS的驅(qū)動(dòng)電路的驅(qū)動(dòng)電阻和放電電路必須是獨(dú)立分開的，不可共用驅(qū)動(dòng)電阻和放電電阻。

　　3.PCB走線盡量保證對(duì)稱，減小電流分布不均

　　光耦一般會(huì)有兩個(gè)用途：線性光耦和邏輯光耦，如果理解？

　　工作在開關(guān)狀態(tài)的光耦副邊三極管飽和導(dǎo)通，管壓降《0.4V，Vout約等于Vcc（Vcc-0.4V左右），Vout 大小只受Vcc大小影響。此時(shí)Ic《If*CTR，此工作狀態(tài)用于傳遞邏輯開關(guān)信號(hào)。工作在線性狀態(tài)的光耦，Ic=If*CTR，副邊三極管壓降的大小等于Vcc-Ic*RL，Vout= Ic*RL=（Vin-1.6V）/Ri * CTR*RL，Vout 大小直接與Vin 成比例，一般用于反饋環(huán)路里面 （1.6V 是粗略估計(jì)，實(shí)際要按器件資料，后續(xù)1.6V同） 。

　　2 光耦CTR

　　概要：

　　1）對(duì)于工作在線性狀態(tài)的光耦要根據(jù)實(shí)際情況分析；

　　2）對(duì)于工作在開關(guān)狀態(tài)的光耦要保證光耦導(dǎo)通時(shí)CTR 有一定余量；

　　3）CTR受多個(gè)因素影響。

　　2.1 光耦能否可靠導(dǎo)通實(shí)際計(jì)算

　　舉例分析，例如圖.1中的光耦電路，假設(shè) Ri = 1k，Ro = 1k，光耦CTR= 50%，光耦導(dǎo)通時(shí)假設(shè)二極管壓降為1.6V，副邊三極管飽和導(dǎo)通壓降Vce=0.4V。輸入信號(hào)Vi 是5V的方波，

　　輸出Vcc 是3.3V。Vout 能得到3.3V 的方波嗎？

　　我們來算算：If = （Vi-1.6V）/Ri = 3.4mA

　　副邊的電流限制：Ic’ ≤ CTR*If = 1.7mA

　　假設(shè)副邊要飽和導(dǎo)通，那么需要Ic’ = （3.3V – 0.4V）/1k = 2.9mA，大于電流通道限制，所以導(dǎo)通時(shí)，Ic會(huì)被光耦限制到1.7mA， Vout = Ro*1.7mA = 1.7V

　　所以副邊得到的是1.7V 的方波。

　　為什么得不到3.3V 的方波，可以理解為圖.1 光耦電路的電流驅(qū)動(dòng)能力小，只能驅(qū)動(dòng)1.7mA 的電流，所以光耦會(huì)增大副邊三極管的導(dǎo)通壓降來限制副邊的電流到1.7mA。

　　解決措施：增大If；增大CTR；減小Ic。對(duì)應(yīng)措施為：減小Ri 阻值；更換大CTR 光耦；增大Ro 阻值。

　　將上述參數(shù)稍加優(yōu)化，假設(shè)增大Ri 到200歐姆，其他一切條件都不變，Vout能得到3.3V的方波嗎？

　　重新計(jì)算：If = （Vi – 1.6V）/Ri = 17mA；副邊電流限制Ic’ ≤ CTR*If = 8.5mA，遠(yuǎn)大于副邊飽和導(dǎo)通需要的電流（2.9mA），所以實(shí)際Ic = 2.9mA。

　　所以，更改Ri 后，Vout 輸出3.3V 的方波。

　　開關(guān)狀態(tài)的光耦，實(shí)際計(jì)算時(shí)，一般將電路能正常工作需要的最大Ic 與原邊能提供的最小If 之間Ic/If 的比值與光耦的CTR 參數(shù)做比較，如果Ic/If ≤CTR，說明光耦能可靠導(dǎo)通。一般會(huì)預(yù)留一點(diǎn)余量（建議小于CTR 的90%）。

　　工作在線性狀態(tài)令當(dāng)別論。