資料介紹
? 引言
在采用TI數(shù)字信號(hào)處理器(DSP)的嵌放式硬件系統(tǒng)開發(fā)完成,軟件也有CCS2.0集成開發(fā)環(huán)境下仿真測(cè)試通過后,怎樣將編譯、鏈接后生成的可執(zhí)行文件(.Out),經(jīng)過轉(zhuǎn)換后的十六進(jìn)制文件(.Hex)寫入硬件系統(tǒng)的Flash存儲(chǔ)器中,讓系統(tǒng)脫機(jī)運(yùn)行,這是許多DSP開發(fā)人員及初學(xué)者遇到并需要解決的問題。
從JTAG接口對(duì)DSP外部Flash的編程方法不只一種。本文以TMS320C6711-150 DSK板為例,介紹“在線仿真狀態(tài)下”對(duì)Flash的編程。
1 Flash存儲(chǔ)器的擦除
Flash編程之前,應(yīng)對(duì)Flash進(jìn)行擦除,使其每個(gè)數(shù)據(jù)位都恢復(fù)為1狀態(tài),即全FF狀態(tài)。對(duì)Flash的擦除操作需要6個(gè)總線周期,總線時(shí)序如圖1。
從圖1可知,各總線周期的操作為:
第一總線周期——向2AAAH地址的存儲(chǔ)單元寫入數(shù)據(jù)55H;
第二總線周期——向2AAAH地址的存儲(chǔ)單元寫入數(shù)據(jù)55H;
第三總線周期——向5555H地址的存儲(chǔ)單元寫入數(shù)據(jù)80H;
第四總線周期——向5555H地址的存儲(chǔ)單元寫入數(shù)據(jù)AAH;
第五總線周期——向2AAAH地址的存儲(chǔ)單元寫入數(shù)據(jù)55H;
第六總線周期——向5555H地址的存儲(chǔ)單元寫入數(shù)據(jù)10H。
完成上述操作后,F(xiàn)lash存儲(chǔ)器被完全擦除,內(nèi)部數(shù)據(jù)恢復(fù)為初始狀態(tài),全為FFH。
在TMS320C6711中,用C語言完成上述操作為:
void erase_flash()
{
*(unsigned volatile char*)FLASH_ADR1=0x00aa;
*(unsigned volatile char*)FLASH_ADR2=0x0055;
*(unsigned volatile char*)FLASH_ADR1=0x0080;
*(unsigned volatile char*)FLASH_ADR1=0x00aa;
*(unsigned volatile char*)FLASH_ADR2=0x0055;
*(unsigned volatile char*)FLASH_ADR1=0x0010;
}
在TMS320C6711系統(tǒng)中,F(xiàn)lash所在地址段為CE1空間,其開始地址為0x90000000。這樣,其中的FLASH_ADR1、FLASH_ADR2在頭文件中被定義為:
#define FLASH_ADR1 0x90005555
#define FLASH_ADR2 0x90002AAA
需要說明的是,在對(duì)Flash進(jìn)行擦除時(shí),應(yīng)對(duì)DSP及EMIF外存儲(chǔ)器接口進(jìn)行初始化,CE1空間定義為8位讀寫模式。
初始化函數(shù)如下:
void c6x11_dsk_init(){ /*DSP和EMIF初始化*/
CSR=0x100; /*禁止所有中斷*/
IER=1; /*禁止除NMI外的所有中斷*/
ICR=0xffff; /*清除所有未完成的中斷*/
*(unsigned volatile int *)EMIF_GCR=0x3300;
*(unsigned volatile int *)EMIF_CE0=0x30;
*(unsigned volatile int*)EMIF_CE1=0xffffff03;
*(unsigned volatile int*)EMIF_SDCTRL=0x07227000;
*(unsigned volatile int*)EMIF_SDRP=0x61a;
*(unsigned volatile int*)EMIF_SDEXT=0x54529;
}
2 Flash存儲(chǔ)器的編程
對(duì)Flash存儲(chǔ)器進(jìn)行字節(jié)編程之前,需要對(duì)它進(jìn)行3個(gè)周期的編程指令操作,總線時(shí)序如圖2。
從圖2可知,各總線周期的操作如下:
第一總線周期——向5555H地址的存儲(chǔ)單元寫入數(shù)據(jù)AAH;
第二總線周期——向2AAAH地址的存儲(chǔ)單元寫入數(shù)據(jù)55H;
第三總線周期——向5555H地址的存儲(chǔ)單元寫入數(shù)據(jù)A0H;
第四總線周期——向地址的存儲(chǔ)單元寫入編程數(shù)據(jù);
……
在TMS320C6711中,用C語言完成上述操作為:
/*---------------------------------------------------------------------*/
/*入口參數(shù):pattern[]:數(shù)組,用于存儲(chǔ)編程數(shù)據(jù)*/
*/ start_address:所要編程的起始地址指針*/
/* page_size:所要編程的Flash的頁(yè)面尺寸*/
/*出口參數(shù):無*/
/*---------------------------------------------------------------------*/
void flash_page_prog(unsigned char pattern[],unsigned volatile char *start_address,int page_size){
volatile int i;
unsigned volatile char *flash_ptr=start_address;
*(unsigned volatile char *)FLASH_ADR1=FLASH_KEY1;
*(unsigned volatile char *)FLASH_ADR2=FLASH_KEY2;
*(unsigned volatile char *)FLASH_ADR1=FLASH_KEY3;
for(i=0;i《page_size;i++)
*flash_ptr++=pattern;
}
其中,F(xiàn)LASH_KEY1、FLASH_KEY2、FLASH_KEY3的定義如下:
#define FLASH_KEY1 0xAA
#define FLASH_KEY2 0x55
#define FLASH_KEY3 0xA0
3 校驗(yàn)和的計(jì)算與編程原理
(1)校驗(yàn)和的計(jì)算
在程序中,應(yīng)對(duì)Flash編程的正確性進(jìn)行自動(dòng)檢查,把編程前數(shù)據(jù)的校驗(yàn)和編程后Flash中讀出數(shù)據(jù)的校驗(yàn)和進(jìn)行比較:如果相同,則編程成功;如果不相同,則編程失敗。需要注意的是,在對(duì)Flash進(jìn)行編程的過程中,不能用CCS2.0中的“VIEW/MEMORY…”功能看Flash中的編程數(shù)據(jù),這樣會(huì)導(dǎo)致一會(huì)地址編程的失敗。
其C語言程序如下:
/*----------------------------------------------------------------------*/
/*入口參數(shù):start_address:所要校驗(yàn)的起始地址*/
/* size_in_byte:所要校驗(yàn)的Flash數(shù)據(jù)字節(jié)數(shù)*/
/*出口參數(shù):lchecksum:校驗(yàn)和 */
/*----------------------------------------------------------------------*/
int flash_checksum(int start_address,int size_in_byte){
int i;
int lchecksum;
unsigned volatile char*flash_ptr=(unsigned volatile char*)
start_address;
int temp;
i=0;
lchecksum=0;
while(i《size_in_byte-4){
temp=*flash_ptr++;
temp&=0xff;
lchecksum=lchecksum+temp;
i++;
}
return lchecksum;
}
在采用TI數(shù)字信號(hào)處理器(DSP)的嵌放式硬件系統(tǒng)開發(fā)完成,軟件也有CCS2.0集成開發(fā)環(huán)境下仿真測(cè)試通過后,怎樣將編譯、鏈接后生成的可執(zhí)行文件(.Out),經(jīng)過轉(zhuǎn)換后的十六進(jìn)制文件(.Hex)寫入硬件系統(tǒng)的Flash存儲(chǔ)器中,讓系統(tǒng)脫機(jī)運(yùn)行,這是許多DSP開發(fā)人員及初學(xué)者遇到并需要解決的問題。
從JTAG接口對(duì)DSP外部Flash的編程方法不只一種。本文以TMS320C6711-150 DSK板為例,介紹“在線仿真狀態(tài)下”對(duì)Flash的編程。
1 Flash存儲(chǔ)器的擦除
Flash編程之前,應(yīng)對(duì)Flash進(jìn)行擦除,使其每個(gè)數(shù)據(jù)位都恢復(fù)為1狀態(tài),即全FF狀態(tài)。對(duì)Flash的擦除操作需要6個(gè)總線周期,總線時(shí)序如圖1。
從圖1可知,各總線周期的操作為:
第一總線周期——向2AAAH地址的存儲(chǔ)單元寫入數(shù)據(jù)55H;
第二總線周期——向2AAAH地址的存儲(chǔ)單元寫入數(shù)據(jù)55H;
第三總線周期——向5555H地址的存儲(chǔ)單元寫入數(shù)據(jù)80H;
第四總線周期——向5555H地址的存儲(chǔ)單元寫入數(shù)據(jù)AAH;
第五總線周期——向2AAAH地址的存儲(chǔ)單元寫入數(shù)據(jù)55H;
第六總線周期——向5555H地址的存儲(chǔ)單元寫入數(shù)據(jù)10H。
完成上述操作后,F(xiàn)lash存儲(chǔ)器被完全擦除,內(nèi)部數(shù)據(jù)恢復(fù)為初始狀態(tài),全為FFH。
在TMS320C6711中,用C語言完成上述操作為:
void erase_flash()
{
*(unsigned volatile char*)FLASH_ADR1=0x00aa;
*(unsigned volatile char*)FLASH_ADR2=0x0055;
*(unsigned volatile char*)FLASH_ADR1=0x0080;
*(unsigned volatile char*)FLASH_ADR1=0x00aa;
*(unsigned volatile char*)FLASH_ADR2=0x0055;
*(unsigned volatile char*)FLASH_ADR1=0x0010;
}
在TMS320C6711系統(tǒng)中,F(xiàn)lash所在地址段為CE1空間,其開始地址為0x90000000。這樣,其中的FLASH_ADR1、FLASH_ADR2在頭文件中被定義為:
#define FLASH_ADR1 0x90005555
#define FLASH_ADR2 0x90002AAA
需要說明的是,在對(duì)Flash進(jìn)行擦除時(shí),應(yīng)對(duì)DSP及EMIF外存儲(chǔ)器接口進(jìn)行初始化,CE1空間定義為8位讀寫模式。
初始化函數(shù)如下:
void c6x11_dsk_init(){ /*DSP和EMIF初始化*/
CSR=0x100; /*禁止所有中斷*/
IER=1; /*禁止除NMI外的所有中斷*/
ICR=0xffff; /*清除所有未完成的中斷*/
*(unsigned volatile int *)EMIF_GCR=0x3300;
*(unsigned volatile int *)EMIF_CE0=0x30;
*(unsigned volatile int*)EMIF_CE1=0xffffff03;
*(unsigned volatile int*)EMIF_SDCTRL=0x07227000;
*(unsigned volatile int*)EMIF_SDRP=0x61a;
*(unsigned volatile int*)EMIF_SDEXT=0x54529;
}
2 Flash存儲(chǔ)器的編程
對(duì)Flash存儲(chǔ)器進(jìn)行字節(jié)編程之前,需要對(duì)它進(jìn)行3個(gè)周期的編程指令操作,總線時(shí)序如圖2。
從圖2可知,各總線周期的操作如下:
第一總線周期——向5555H地址的存儲(chǔ)單元寫入數(shù)據(jù)AAH;
第二總線周期——向2AAAH地址的存儲(chǔ)單元寫入數(shù)據(jù)55H;
第三總線周期——向5555H地址的存儲(chǔ)單元寫入數(shù)據(jù)A0H;
第四總線周期——向地址的存儲(chǔ)單元寫入編程數(shù)據(jù);
……
在TMS320C6711中,用C語言完成上述操作為:
/*---------------------------------------------------------------------*/
/*入口參數(shù):pattern[]:數(shù)組,用于存儲(chǔ)編程數(shù)據(jù)*/
*/ start_address:所要編程的起始地址指針*/
/* page_size:所要編程的Flash的頁(yè)面尺寸*/
/*出口參數(shù):無*/
/*---------------------------------------------------------------------*/
void flash_page_prog(unsigned char pattern[],unsigned volatile char *start_address,int page_size){
volatile int i;
unsigned volatile char *flash_ptr=start_address;
*(unsigned volatile char *)FLASH_ADR1=FLASH_KEY1;
*(unsigned volatile char *)FLASH_ADR2=FLASH_KEY2;
*(unsigned volatile char *)FLASH_ADR1=FLASH_KEY3;
for(i=0;i《page_size;i++)
*flash_ptr++=pattern;
}
其中,F(xiàn)LASH_KEY1、FLASH_KEY2、FLASH_KEY3的定義如下:
#define FLASH_KEY1 0xAA
#define FLASH_KEY2 0x55
#define FLASH_KEY3 0xA0
3 校驗(yàn)和的計(jì)算與編程原理
(1)校驗(yàn)和的計(jì)算
在程序中,應(yīng)對(duì)Flash編程的正確性進(jìn)行自動(dòng)檢查,把編程前數(shù)據(jù)的校驗(yàn)和編程后Flash中讀出數(shù)據(jù)的校驗(yàn)和進(jìn)行比較:如果相同,則編程成功;如果不相同,則編程失敗。需要注意的是,在對(duì)Flash進(jìn)行編程的過程中,不能用CCS2.0中的“VIEW/MEMORY…”功能看Flash中的編程數(shù)據(jù),這樣會(huì)導(dǎo)致一會(huì)地址編程的失敗。
其C語言程序如下:
/*----------------------------------------------------------------------*/
/*入口參數(shù):start_address:所要校驗(yàn)的起始地址*/
/* size_in_byte:所要校驗(yàn)的Flash數(shù)據(jù)字節(jié)數(shù)*/
/*出口參數(shù):lchecksum:校驗(yàn)和 */
/*----------------------------------------------------------------------*/
int flash_checksum(int start_address,int size_in_byte){
int i;
int lchecksum;
unsigned volatile char*flash_ptr=(unsigned volatile char*)
start_address;
int temp;
i=0;
lchecksum=0;
while(i《size_in_byte-4){
temp=*flash_ptr++;
temp&=0xff;
lchecksum=lchecksum+temp;
i++;
}
return lchecksum;
}
下載該資料的人也在下載
下載該資料的人還在閱讀
更多 >
- AN4852_使用STM32微控制器內(nèi)置的UART引導(dǎo)程序編程外部Flash存儲(chǔ)器
- Flash存儲(chǔ)器在MCS-51系統(tǒng)中的應(yīng)用 7次下載
- TMS320C672x系列DSP的EMIF擴(kuò)展存儲(chǔ)器的研究與應(yīng)用的分析 9次下載
- TMS320VC5510DSP外部存儲(chǔ)器接口(EMIF)的詳細(xì)資料概述 5次下載
- dsp與外擴(kuò)展存儲(chǔ)器的連接方法 5次下載
- DSP外部FLASH在線編程與引導(dǎo)技術(shù)解析 11次下載
- 外部Flash存儲(chǔ)器在線編程的軟硬件設(shè)計(jì)解析 3次下載
- DSP系統(tǒng)應(yīng)用中FLASH在線編程方法 12次下載
- 基于串口實(shí)現(xiàn)DSP程序的在線編程
- 基于串口實(shí)現(xiàn)DSP程序的在線編程
- 基于JTAG 的在線編程
- 通過JTAG 口對(duì)DSP 外部Flash 存儲(chǔ)器的在線編程
- JTAG口及其對(duì)Flash的在線編程
- 基于JTAG的在線編程
- MC68HC908GP32 MCU的Flash存儲(chǔ)器在線編程
- EEPROM與Flash存儲(chǔ)器的區(qū)別 3386次閱讀
- 在線閃速可電擦除存儲(chǔ)器AT29C010A的主要特點(diǎn)及應(yīng)用 6107次閱讀
- 基于IAP流程的兩片Flash拼接的Flash控制器方案設(shè)計(jì) 2161次閱讀
- Msp430單片機(jī)內(nèi)部Flash存儲(chǔ)器的特點(diǎn)及功能解析 3711次閱讀
- 一文詳解51單片機(jī)的存儲(chǔ)器組織結(jié)構(gòu) 1w次閱讀
- DRAM、NAND FLASH、NOR FLASH三大存儲(chǔ)器分析 11.1w次閱讀
- 基于FPGA的Flash控制器和JTAG接口模塊的設(shè)計(jì) 2621次閱讀
- flash存儲(chǔ)器的讀寫原理及次數(shù) 2.1w次閱讀
- flash存儲(chǔ)器在線編程 3951次閱讀
- flash存儲(chǔ)器的特點(diǎn) 1.5w次閱讀
- flash存儲(chǔ)器的類型 8591次閱讀
- JTAG接口在線燒寫Flash的實(shí)現(xiàn) 1.5w次閱讀
- 單片機(jī)系統(tǒng)Flash存儲(chǔ)器在系統(tǒng)編程設(shè)計(jì) 3284次閱讀
- 鐵電存儲(chǔ)器FM18L08在DSP系統(tǒng)中的應(yīng)用 1650次閱讀
- TPMS外置編碼存儲(chǔ)器式輪胎定位技術(shù)設(shè)計(jì)方案 994次閱讀
下載排行
本周
- 1電子電路原理第七版PDF電子教材免費(fèi)下載
- 0.00 MB | 1489次下載 | 免費(fèi)
- 2單片機(jī)典型實(shí)例介紹
- 18.19 MB | 91次下載 | 1 積分
- 3S7-200PLC編程實(shí)例詳細(xì)資料
- 1.17 MB | 27次下載 | 1 積分
- 4筆記本電腦主板的元件識(shí)別和講解說明
- 4.28 MB | 18次下載 | 4 積分
- 5開關(guān)電源原理及各功能電路詳解
- 0.38 MB | 9次下載 | 免費(fèi)
- 6基于AT89C2051/4051單片機(jī)編程器的實(shí)驗(yàn)
- 0.11 MB | 4次下載 | 免費(fèi)
- 7基于單片機(jī)和 SG3525的程控開關(guān)電源設(shè)計(jì)
- 0.23 MB | 3次下載 | 免費(fèi)
- 8基于單片機(jī)的紅外風(fēng)扇遙控
- 0.23 MB | 3次下載 | 免費(fèi)
本月
- 1OrCAD10.5下載OrCAD10.5中文版軟件
- 0.00 MB | 234313次下載 | 免費(fèi)
- 2PADS 9.0 2009最新版 -下載
- 0.00 MB | 66304次下載 | 免費(fèi)
- 3protel99下載protel99軟件下載(中文版)
- 0.00 MB | 51209次下載 | 免費(fèi)
- 4LabView 8.0 專業(yè)版下載 (3CD完整版)
- 0.00 MB | 51043次下載 | 免費(fèi)
- 5555集成電路應(yīng)用800例(新編版)
- 0.00 MB | 33562次下載 | 免費(fèi)
- 6接口電路圖大全
- 未知 | 30319次下載 | 免費(fèi)
- 7Multisim 10下載Multisim 10 中文版
- 0.00 MB | 28588次下載 | 免費(fèi)
- 8開關(guān)電源設(shè)計(jì)實(shí)例指南
- 未知 | 21539次下載 | 免費(fèi)
總榜
- 1matlab軟件下載入口
- 未知 | 935053次下載 | 免費(fèi)
- 2protel99se軟件下載(可英文版轉(zhuǎn)中文版)
- 78.1 MB | 537791次下載 | 免費(fèi)
- 3MATLAB 7.1 下載 (含軟件介紹)
- 未知 | 420026次下載 | 免費(fèi)
- 4OrCAD10.5下載OrCAD10.5中文版軟件
- 0.00 MB | 234313次下載 | 免費(fèi)
- 5Altium DXP2002下載入口
- 未知 | 233045次下載 | 免費(fèi)
- 6電路仿真軟件multisim 10.0免費(fèi)下載
- 340992 | 191183次下載 | 免費(fèi)
- 7十天學(xué)會(huì)AVR單片機(jī)與C語言視頻教程 下載
- 158M | 183277次下載 | 免費(fèi)
- 8proe5.0野火版下載(中文版免費(fèi)下載)
- 未知 | 138039次下載 | 免費(fèi)
評(píng)論
查看更多