資料介紹
隨著器件結構與制作工藝的不新創新與完善。硅基發光器件已經可以實現室溫下的有效工作,外量子效率可達到0.1%:低功耗的硅基高速調制器件的調制速率達到1GHZ以上;而硅基光探測器對1300mm與1550mm波長的探測響應度也已分別達到了0.16mA/W 和0.08mA/W.文章對硅基光電器件的研究進展情況進行了概述,并著重對幾種器件的結構及工作原理進行了分析。
發光器件
由于硅為間接帶隙半導體,在載流子的復合過程中非輻射復合占絕對優勢,因此單晶硅本身不能制成有效的發光器件’ 然而通過摻雜或引入應力的方法,可以改變材料的能帶結構,從而為硅基發光器件提供了實現的可能’ 目前對硅基發光器件的研究主要集中在可見光和紅外兩個領域( 在可見光領域,一般通過采用多孔硅超晶格、納米硅等結構來實現硅的能帶結構的改善,而在紅外領域, 等材料受到較多的關注( 然而從工藝實現的角度來講,這些材料的制備或多或少都不能與現有的成熟微電子工藝兼容,因此為光電器件的單片集成帶來了一定的困難( 而下面介紹的兩種硅基發光器件利用標準的微電子工藝制作,較好的解決了工藝兼容性問題,從而使得器件的單片集成成為可能。
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