資料介紹
白光LEDs的效率正以飛快的速度上升中,在2004年,工程師引以為傲被問到350mA時(shí)的功率幾乎是60 lm/W, 但在今天的研究記錄則超過130 lm/W。
這樣照明效率幾乎是省電燈泡(compact fluorescents)的兩倍,而且比日光燈(incandescent)效能高上10倍之多的白光LED已被定位成一般的照明應(yīng)用。然而,進(jìn)一步改善可以強(qiáng)化固態(tài)照明設(shè)備的效能,同時(shí)能實(shí)際節(jié)省能源及減少照明費(fèi)用。
不幸地,傳統(tǒng)白光LED所剩的效能改善空間正在縮小中,經(jīng)由下轉(zhuǎn)換式(down-converting)磷光體將晶片上的藍(lán)光或紫外光轉(zhuǎn)換成黃光的過程會浪費(fèi)能量并且局限元件的效能。舉例來說,Nichia估算以藍(lán)光激發(fā)磷光體之最大理論功率為263 lm/W,但只有203 lm/W等值的紫外光來源。
根據(jù)Jeffrey Tsao以及在Sandia國家實(shí)驗(yàn)室的同仁的說法,藉由改變LED基本的架構(gòu)可以達(dá)到更高的功率。該團(tuán)隊(duì)已顯示出藉由顏色混合的方式小心選取四個(gè)不同發(fā)光波長的LEDs,在演色性指數(shù)(color rendering index;CRI)為90時(shí)的理論功率可以超過400 lm/W at,Tsao說道CRI值在90是最好的,而且可以滿足所有實(shí)質(zhì)的白光應(yīng)用。
起初乍看之下,所有的元件效能似乎非常令人鼓舞,但Tsao明白指出,要達(dá)到這個(gè)效能目標(biāo)是沒有捷逕的,在開始的研究中,元件要得到近乎理論的功率需要幾乎100%的光電轉(zhuǎn)換效能。雖然已經(jīng)可以制作出80%效率的紅外線雷射,Tsao選擇了530 nm及573 nm兩個(gè)落在相對較差效能范圍的波長,就是所謂的”綠光能隙”(green gap),最佳的LEDs在這個(gè)光譜范圍是無法展現(xiàn)最佳的效率(參見圖一)。
顯然實(shí)質(zhì)改善綠光能隙(green-gap)LED效能是必要的,而朝向這個(gè)目標(biāo)的第一步包括明確的建立阻礙元件輸出的原因認(rèn)知,這個(gè)問題在科學(xué)界間是個(gè)爭議性的熱門話題,而Tsao推測各種類型的缺陷皆可能扮演著某一種角色。
這些架構(gòu)在InGaN/GaN磊晶層(epilayers)的元件(以及它們的藍(lán)光系列元件)被做在異質(zhì)(foreign)基板(例如藍(lán)寶石(sapphire)和SiC基板),而這些基板會產(chǎn)生應(yīng)力(strain)和高度貫穿式差排(Threading Dislocation; TD)密度,而典型的TD密度范圍介於5 × 108到5 × 109 cm–2之間。姑且不論這些高缺陷密度,InGaN LEDs可以產(chǎn)生的外部量子效率仍可達(dá)70%,然而有些證據(jù)推測這些缺陷仍舊會限制量子效能:陰極射線發(fā)光(cathodoluminescence)的研究已揭露出貫穿式差排結(jié)構(gòu)(TDs)是不會放光的,當(dāng)所有計(jì)算都指出螺旋錯(cuò)位(screw dislocations)會誘導(dǎo)應(yīng)力場(strain fields) 而局限其中一種載體,并且限制它們以幅射的方式(radiative)再結(jié)合。
除此之外,點(diǎn)狀缺陷(例如鎵和氮空缺及碳和氧不純物)會扮演著非放光再結(jié)合中心,GaN正子消散(positron annihilation)的研究中顯示已知的缺陷與鎵空缺結(jié)合會限制光激發(fā)發(fā)光效率。在更低的長膜溫度條件下的點(diǎn)狀缺陷變得更普遍(這是高濃度的銦(indium)成份制作綠色及黃色LED所需要的制程環(huán)境),在較長的發(fā)光波長下,這些缺限會降低LED的效率。
綠光及黃光LED效率也受到本身極化場(intrinsic polarization fields)所沖擊, 而這個(gè)效應(yīng)會隨著更高的銦原子濃度而變得更強(qiáng),濃度極化作用(polarization)可以幫助發(fā)光位置產(chǎn)生紅位移(red-shift), 但是這個(gè)好處在更高的驅(qū)動電流下會被內(nèi)部電場載體誘導(dǎo)屏蔽(carrier-induced screening)所抵消,這意味著發(fā)光波長會隨著溫度而變化,這是色彩混合方法最主要的障礙。
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