1.。。.TITLE

　　2.。。.GRID DYSI=0.01，DPTH=2，YMAX=8

　　3.。。.SUBS ORNT=111，ELEM=P，CONC=1E15

　　4.。。.PRINT HEAD=Y

　　5.。。.PLOT TOTL=Y，WIND=8

　　6.。。.STEP TYPE=IMPL，ELEM=B，DOSE=1E14，AKEV=6

　　7.。。.END

　　1

　　步驟 # 1

　　離子注入（修改過的 PEARSON Ⅳ 型分布）

　　被注入的雜質(zhì)類型 = BORON

　　被注入的雜質(zhì)劑量 = 1.000000E+14

　　離子注入的能量 = 6.00000

　　射程 = 1.46380

　　標(biāo)準(zhǔn)偏差 = .144400

　　峰值濃度 = 4.222607E+18

　　表面雜質(zhì)濃度 = -1.883426E+14 原子數(shù) /CM］3

　　擴散 結(jié)深 I 擴散層 方塊電阻

　　----------------------I---------------------------

　　6.596054E-02微米 I 7.203743E+06歐姆/方塊

　　1.97534 微米 I 532.060 歐姆/方塊

　　I 7654.71 歐姆/方塊

　　凈有效雜質(zhì)濃度

　　在二氧化硅中的電荷 = .000000 是 .000 % 電荷總數(shù)

　　在硅中的電荷 = 1.003965E+14 是 100. % 電荷總數(shù)

　　電荷總數(shù) = 1.003965E+14 是 1.255E+04 % 初始電荷

　　初始電荷 = 8.000000E+11

　　平均化學(xué)濃度PHOSPHORUS

　　在二氧化硅中的電荷 = .000000 是 .000 % 電荷總數(shù)

　　在硅中的電荷 = 8.000000E+11 是 100. % 電荷總數(shù)

　　電荷總數(shù) = 8.000000E+11 是 100. % 初始電荷

　　初始電荷 = 8.000000E+11

　　平均化學(xué)濃度BORON

　　在二氧化硅中的電荷 = .000000 是 .000 % 電荷總數(shù)

　　在硅中的電荷 = 1.000001E+14 是 100. % 電荷總數(shù)

　　電荷總數(shù) = 1.000001E+14 是 .000 % 初始電荷

　　初始電荷 = .000000

　　1

　　I 步驟 = 1 時間 = .0 分 鐘 。

　　I

　　深 度 I 平衡濃度 （ LOG 原子數(shù)/CC ）