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摘要：工程師在設計一款產品時用了一顆9A的MOS管，量產后發現壞品率偏高，經重新計算分析后，換成了一顆5A的MOS管，問題解決。為什么用電流裕量更小的器件，卻能提高可靠性呢？
工程師在設計的過程中非常注意元器件性能上的裕量，卻很容易忽視熱耗散設計，案例分析我們放到最后說，為了幫助理解，我們先引入一個概念：
其中Tc為芯片的外殼溫度，P D為芯片在該環境中的耗散功率，Tj表示芯片的結點溫度，目前大多數芯片的結點溫度為150℃，Rjc表示芯片內部至外殼的熱阻，Rcs表示外殼至散熱片的熱阻，Rsa表示散熱片到空氣的熱阻，一般功率器件用Rjc進行計算即可。
圖1功率器件熱阻分布示意圖
舉個例子來說，大家常用的S8050在25℃（Tc）的最大耗散功率是0.625W，額定電流為0.5A，最高結點溫度為150℃，此代入公式有：
從上面公式可以推算出Rja為200℃/W（Rja表示結點到空氣的熱阻）。假設芯片殼溫（Tc）為55℃，熱耗散功率有0.5W時，此刻芯片結點溫度為：Tj=Tc+PD*Rjc代入得到155℃，已經超過了最高結溫150℃了。故需要降額使用，然而降額曲線在數據手冊中并未標注，所以小編只能自行計算。
工程師在設計的過程中非常注意元器件性能上的裕量，卻很容易忽視熱耗散設計，案例分析我們放到最后說，為了幫助理解，我們先引入一個概念：
其中Tc為芯片的外殼溫度，P D為芯片在該環境中的耗散功率，Tj表示芯片的結點溫度，目前大多數芯片的結點溫度為150℃，Rjc表示芯片內部至外殼的熱阻，Rcs表示外殼至散熱片的熱阻，Rsa表示散熱片到空氣的熱阻，一般功率器件用Rjc進行計算即可。
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從上面公式可以推算出Rja為200℃/W（Rja表示結點到空氣的熱阻）。假設芯片殼溫（Tc）為55℃，熱耗散功率有0.5W時，此刻芯片結點溫度為：Tj=Tc+PD*Rjc代入得到155℃，已經超過了最高結溫150℃了。故需要降額使用，然而降額曲線在數據手冊中并未標注，所以小編只能自行計算。
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