許多雙極型線性集成電路已顯示出增強(qiáng)的低劑量率敏感性（ELDRS），其中當(dāng)暴露于電離輻射下的產(chǎn)品在低劑量率（LDR）時(shí)比暴露在高劑量率（HDR）時(shí)可能具有更差的總電離劑量（TID）性能。最近的測(cè)試細(xì)胞的研究表明，亞微米CMOS工藝也可能表現(xiàn)出ELDRS。一些CMOS產(chǎn)品，雖然不被認(rèn)為是BiCMOS，確實(shí)包含有源雙極元件使用寄生雙極結(jié)構(gòu)中存在的所有批量CMOS工藝。叁個(gè)混合信號(hào)CMOS產(chǎn)品，一個(gè)數(shù)模轉(zhuǎn)換器（DAC）和兩個(gè)模數(shù)轉(zhuǎn)換器（ADC），使用不同的亞微米CMOS工藝和使用有源寄生雙極結(jié)構(gòu)，通過LDR TID測(cè)試來確定實(shí)際產(chǎn)品是否顯示ELDR。MIL-STD-83TM1019包含一種測(cè)試方法，通過使用HDR測(cè)試以及室溫煺火來限定對(duì)LDR環(huán)境的HDR TID測(cè)試失敗的產(chǎn)品。這種測(cè)試方法先前在超微米工藝節(jié)點(diǎn)上被證明。已經(jīng)提出，這種測(cè)試方法對(duì)于亞微米工藝是無效的。測(cè)試方法驗(yàn)證了亞微米CMOS產(chǎn)品使用LDR測(cè)試數(shù)據(jù)從一個(gè)產(chǎn)品在這項(xiàng)研究中。

　　增強(qiáng)的低劑量率敏感性（ELDRS）已被廣泛地研究并證明存在于許多雙極線性集成電路［1 ］ -（10）中。在這些產(chǎn)品上，由于總電離劑量（TID）輻射引起的電參數(shù)漂移在相對(duì)低的劑量率（LDR）下更為明顯。這是對(duì)LDR環(huán)境的關(guān)注，例如空間。由于集成電路的輻射鑒定的發(fā)展，它起源于更高劑量率的基于武器的應(yīng)用，并且由于其實(shí)用性。在合理的時(shí)間內(nèi)進(jìn)行測(cè)試，TID測(cè)試