Gowin B-SRAM 用戶手冊主要描述高云半導體B-SRAM 的特性、工作模式、工作時序以及注意事項，給用戶提供應用說明。

　　高云半導體FPGA 產品提供了豐富的塊狀靜態隨機存儲器資源，簡稱塊狀靜態存儲器（B-SRAM）。B-SRAM 在器件內部以行的形式分布，每個B-SRAM 占用3 個CFU 的位置，B-SRAM 的數量根據器件的不同而不同，資源容量詳細資料請分別參考《GW1N系列FPGA產品數據手冊》、《GW1NR系列FPGA 產品數據手冊》、《GW2A 系列FPGA 產品數據手冊》、《GW2AR系列FPGA 產品數據手冊》。

　　高云半導體FPGA 產品中的每個B-SRAM 可配置最高18Kbits，數據位寬和地址深度均可配置。每個B-SRAM 有兩個端口，即A 端口和B 端口，兩個端口都可以進行讀操作/寫操作，兩個端口彼此獨立，獨立的時鐘、地址、數據和控制信號，兩個端口共享一塊存儲空間。每個B-SRAM 可配置4 種操作模式：單端口模式（SP）、雙端口模式（DP）、偽雙端口模式（SDP）和只讀模式（ROM）。在偽雙端口模式下，A 端口只能用于寫操作，B 端口只能進行讀操作

　　B-SRAM 支持數據初始化操作，可以通過parameter 設置，也可以通過IP Core Generator 讀入初始化文件設置。B-SRAM 的寫操作和讀操作均同步于時鐘，B-SRAM 的輸入端和輸出端都有寄存器，輸入端寄存器支持寫入數據和控制信號同步于輸入時鐘。輸出端的寄存器支持數據寄存器輸出（Pipeline Mode）幫助改善系統時序和性能，也支持旁路輸出（Bypass Mode）。寄存器輸出的數據比旁路輸出的數據延遲一個時鐘周期。但建議使用寄存器輸出。B-SRAM 的寫操作支持Normal 模式、通寫模式和先讀后寫模式。高云半導體Gowin 云源軟件IP Core Generator 支持B-SRAM 單端口模式、雙端口模式、偽雙端口模式和只讀模式的生成。

　　一個B-SRAM 最大容量為18Kbits

　　 支持單端口模式（SP）

　　 支持雙端口模式模式（DP）

　　 支持偽雙端口模式（SDP）

　　支持只讀模式（ROM）

　　支持數據位寬1bit ~ 36 bits

　　 雙端口模式和偽雙端口模式支持讀寫時鐘獨立、數據位寬獨立

　　16 bits 及以上的數據位寬支持字節使能功能

　　 支持異步復位，同步釋放

　　 輸出支持寄存器輸出或旁路輸出

　　 寫模式支持Normal 模式、先讀后寫模式和通寫模式