CMOS（互補金屬氧化物半導體）技術仍然是制造集成電路（IC或芯片）的主導技術，這種主導地位可能會持續25年甚至更長時間。為什么？CMOS技術是可靠的，可制造的，低功耗，低成本，也許最重要的是，可擴展。事實上，硅集成電路技術是可擴展的，這一事實在1965年由英特爾創始人戈登·摩爾觀察和描述。他的觀察結果現在被稱為摩爾定律，并指出芯片上的設備數量將每18到24個月翻一番。雖然摩爾定律最初并不是針對CMOS的，但多年來通過縮小CMOS工藝中的特征尺寸來實現。早期CMOS晶體管的柵極長度在微米范圍內（長溝道器件），而當前CMOS器件的特征尺寸則在納米范圍內（短溝道器件）。為了涵蓋本書中的長溝道和短溝道CMOS技術，定制CMOS集成電路設計的雙路徑方法被采納。為兩者開發設計技術，然后進行比較。這種比較使讀者深入了解電路設計過程。雖然學生在微電子入門課程中學習的用于描述MOSFET操作的平方律方程可用于長溝道CMOS工藝中的模擬設計，但在短溝道或納米CMOS工藝設計時，這些方程并不有用。納米CMOS工藝中器件的行為相當復雜。用簡單的方程式來描述設備的行為是不可能的。相反，電氣圖用于估計偏壓點和操作行為。然而，對于學生來說，在學習電路分析和設計時使用數學的嚴謹性仍然是有用的，因此，這是雙路徑方法的原因。手工計算可以使用長溝道CMOS工藝進行，其結果可用于描述如何在納米CMOS工藝中進行設計。

　　第三版的計算機輔助計算機輔助設計（CAD）和計算機輔助設計（ICE）的第三版（例如，SPICE）已經轉移到了計算機輔助設計的第三版http://CMOSedu.com。此外，還增加了一些章節，包括數據轉換器和反饋放大器的實現。這些附加的，實用的，信息應該使這本書更有用的學術文本和工作設計工程師的伴侶。與早期版本一樣，這本書充滿了實用的設計示例、討論和問題。章節末問題的解決方案（自學）和模擬電路時使用的網絡列表見CMOSedu.com網站。 其他問題也可以在這個網站上找到。那些有興趣深入了解CMOS模擬和數字設計知識的人，可以通過下載、修改和模擬書中的設計實例來獲得極大的幫助。讀者的假定背景是線性電路（例如，RC和RLC電路、Bode圖、Laplace變換、AC分析等）、微電子（例如二極管、晶體管、小信號分析、放大器、開關行為等）和數字邏輯設計的知識。使用本書可以教授一些課程，包括VLSI或CMOS數字IC設計（第1-7章和第10-19章）、CMOS模擬IC設計（第9章和第20-24章）以及高級模擬IC設計（第8章和第25-31章）
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