當插卡（或接口板）在主板帶電的情況下插入或拔出時，由于插卡上濾波電容的放電作
用會對主電源呈現低阻狀態，造成主電源損壞。圖一所示電路能夠在可編程的開啟時間內對負載電流加以限制、調節，保證系統在熱插拔過程中安全、可靠工作。正常工作狀態下，MAX4370內部的兩個比較器（低速/高速比較器）提供雙速/雙電平短路和過流保護，電源電壓范圍+3V至+12V，內置電荷泵控制器為外部N 溝道MOSFET 功率開關提供柵極驅動。檢測到系統故障時，MAX4370將處于鎖存狀態。
開啟狀態：系統上電時，MAX4370 處于開啟狀態，開啟時間由外接電容CTIM 決定，內部低速比較器不工作，通過以下兩個途徑為系統提供電流限制：
1、 控制外部的MOSFET柵極驅動電壓，使供給負載的電流緩慢上升。
2、 通過調整外部限流電阻的電壓限制流入負載的電流。
當高速比較器檢測到過流時，柵級電壓以固定的80μA 電流通過限流電阻放電，從而有效控制了上電期間的導通電流。
正常工作模式：開啟過程結束后，MAX4370 進入正常工作模式，利用兩個比較器以不同的檢測門限（雙電平）和響應時間（雙速）檢測負載電流，一旦檢測到故障，則斷開MOSFET。檢測過程為：
1、 低速比較器的的響應時間由外接電容CSPD 確定（tCSPD（ms）=0.2 x CSPD(nF)），CSPD 引腳浮空時，響應時間為默認值20μs；檢測門限電壓為固定的50mV；低速比較器對瞬態小電流沒有響應，當檢測到過流時，MOSFET柵極被放電，而后關斷MOSFET。
2、 高速比較器的響應時間和檢測門限電壓均為固定值，門限電壓為200mV，當檢測到故障時，立即斷開MOSFET。
出現故障時，STAT 引腳輸出低電平，MAX4370 處于鎖存狀態，要清除鎖存狀態需在ON 引腳輸入一負脈沖，脈沖寬度應大于20μs。
應用：
1、 選擇N溝道MOSFET：N溝道MOSFET的額定電流應滿足負載電流的要求；在滿負荷范圍內，MOSFET 的導通電阻RDS（ON）應足夠小，以降低柵漏間的壓差減小功耗，當負載電流為1A時，可選用IR公司的IRLMS1503。參考表一。