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電子發燒友網>電子資料下載>電源技術>安森美半導體ESD解決方案滿足今天與未來電路的保護需求

安森美半導體ESD解決方案滿足今天與未來電路的保護需求

2009-02-07 | rar | 333 | 次下載 | 5積分

資料介紹

ESD經常發生,影響到所有手持設備。必須對IC加以保護,因為其中大多數無法承受高于2 kV的ESD。安森美半導體的ESD保護器件以最快的響應時間和最低的鉗位電壓鉗制IEC 61000-4-2 ESD抑制標準的8千伏(kV)脈沖。
以往,由于電子設備的體積沒有那么小,所使用的IC器件也比現在要大很多,所以ESD似乎還不是一個問題。因為器件越大電容也越大,它們可以容納每伏(V)更多的電荷,因此與較小的器件相比,對ESD的敏感性更低。而當電子設備的體積越來越小,功能越來越多,電路越來越精密,使用的半導體工藝到了亞微米以下的時候,IC設計對ESD更加敏感,就更容易受到ESD的損壞,ESD也就成了一個設計的挑戰。設計人員須使IC盡可能提供最有效的ESD保護,而又要為額外的保護元件減少電路板空間。
電子電路的輸入/輸出連接器為ESD的進入提供了路徑。以手機為例,音量鍵、語音鍵、智能鍵、充電器插口、配件連接端口、揚聲器、鍵區、擴音器、SIM卡、電池接頭等都可能成為ESD的進入點,使之輕松達到電路及電壓敏感型元件。
當進入的ESD電壓足夠高時,就會在IC器件的電介質上產生電弧,在門氧化物層燒出顯微鏡可見的孔洞,造成器件的永久損壞。

ESD保護與CMOS芯片的分離
人們曾經嘗試將ESD保護與CMOS芯片集成在一起,這樣的方法不是不可以。但是隨著半導體工藝向65 nm以下的轉移,原來在1.5 μm工藝的芯片面積上只占幾十分之一(獲得2 kV ESD保護)的ESD保護的面積已經無法容納于現在只有幾個納米的芯片之中了。在65 nm工藝下,ESD保護的面積甚至超出了整個芯片的面積。相反,工藝越來越精細,對需要ESD保護的要求就越高。因此,有效的ESD保護已不能完全集成到CMOS芯片當中了。
此外,對電子設備來說,外部保護器件可以更有效地防止ESD輕松進入電路及電壓敏感型元件。強制性ESD抑制標準IEC61000-4-2要求,保護器件應放置在連接器或端口處,以便在ESD進入電路板之前有效抑制ESD事件的發生。
TVS壓敏電阻的比較
傳統上,電子設備廠商是使用壓敏電阻來進行ESD保護,但是它存在體積大、性能不好的缺點。在封裝方面,安森美半導體的超微型ESD器件與0402多層壓敏電阻相比,SOD-923 TVS的建議焊接面積為0.54 mm2,SOD-723 TVS為0.7 mm2,而0402壓敏電阻為0.9 mm2。在截面高度上,SOD-923 TVS為0.4 mm,SOD-723 TVS為0.5 mm,0402壓敏電阻則為0.9 mm。
更重要的是,TVS與壓敏電阻的性能不可同日而語。安森美半導體的ESD器件具有更好的鉗制性能、更低的泄漏和更長的使用壽命。
利用高頻測試電路板提供ESD接觸放電脈沖電流和ESD槍測試ESD保護器件的性能,可以在示波器上看到如圖1所示的真實的鉗制電壓曲線。TVS器件可以立即將進入的電壓壓到很低的水平,從8 kV靜電很快鉗制到5-6 V水平;但壓敏電阻的曲線則下降得很緩慢,而且無法降到很低的水平。該曲線表明,TVS器件的恢復時間非常短,經過TVS器件泄漏到后面電路的能量也非常少。對便攜式設備來說,進入的能量越少越好。

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