光電池的負載特性

1893309 2009-09-19 | rar | 543 | 次下載 | 5積分

資料介紹

驗三十二硅光電池特性的研究
一、實驗目的
1．掌握PN結形成原理及其工作機理；
2．了解LED發光二極管的驅動電流和輸出光功率的關系；
3．掌握硅光電池的工作原理及其工作特性。
二、儀器設備
1．TKGD―1型硅光電池特性實驗儀；
2．信號發生器；
3．雙蹤示波器。
三、實驗原理
1．引言
目前半導體光電探測器在數碼攝像﹑光通信﹑太陽電池等領域得到廣泛應用，硅光電池是半導體光電探測器的一個基本單元，深刻理解硅光電池的工作原理和具體使用特性可以進一步領會半導體PN結原理﹑光電效應理論和光伏電池產生機理。
? 圖1是半導體PN結在零偏﹑反偏﹑正偏下的耗盡區，當P型和N型半導體材料結合時，由于P型材料空穴多電子少，而N型材料電子多空穴少，結果P型材料中的空穴向N型材料這邊擴散，N型材料中的電子向P型材料這邊擴散，擴散的結果使得結合區兩側的P型區出現負電荷，N型區帶正電荷，形成一個勢壘，由此而產生的內電場將阻止擴散運動的繼續進行，當兩者達到平衡時，在PN結兩側形成一個耗盡區，耗盡區的特點是無自由載流子，呈現高阻抗。當PN結反偏時，外加電場與內電場方向一致，耗盡區在外電場作用下變寬，使勢壘加強；當PN結正偏時，外加電場與內電場方向相反，耗盡區在外電場作用下變窄，勢壘削弱，使載流子擴散運動繼續形成電流，此即為PN結的單向導電性,電流方向是從P指向N。

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