引言

　　電壓的準(zhǔn)確測(cè)量需要盡量減小至被測(cè)試電路之儀器接線的影響。典型的數(shù)字電壓表 （DVM） 采用 10M 電阻器網(wǎng)絡(luò)以把負(fù)載效應(yīng)保持在不顯眼的水平，即使這會(huì)引起顯著的誤差，尤其是在包含高電阻的較高電壓電路中。

　　解決方案是采用靜電計(jì)配置的高阻抗放大器，因此來(lái)自測(cè)試節(jié)點(diǎn)的放大器輸入電流就微乎其微。為使輸入電流值盡可能低，傳統(tǒng)上都把場(chǎng)效應(yīng)晶體管 （FET） 用在這些電路的輸入端。FET 一般是低電壓器件，并會(huì)引起難以消除的電壓失調(diào)不確定性。雖然具有包括 FET 輸入的單片式放大器，但它們通常是非常低電壓的器件 （特別是那些采用典型 CMOS 制作方法的放大器），因此其適用范圍局限在高電壓應(yīng)用。可以考慮一下 LTC?6090，這是一款精度在 mV 以內(nèi)并能處理超過(guò) 140VP-P 信號(hào)擺幅的 CMOS 放大器，非常適合于解決上述問(wèn)題。

　　LTC6090 可輕松地解決高電壓檢測(cè)問(wèn)題

　　LTC6090 在單個(gè)器件中整合了一組獨(dú)特的特性。其 CMOS 設(shè)計(jì)特性在高輸入阻抗和“軌至軌”輸出擺幅中提供了極限，但與采用 5V 供電的典型 CMOS 器件不同，LTC6090 能采用高達(dá) ±70V 電源運(yùn)作。而且，該器件在小信號(hào)領(lǐng)域中也可占有一席之地，其具有低于 500μV 的典型 VOS 和 11nV/√Hz 的電壓噪聲密度，從而可提供驚人的動(dòng)態(tài)范圍。高壓操作可能會(huì)帶來(lái)顯著的功耗，因此 LTC6090 提供了耐熱性能增強(qiáng)型 SOIC 或 TSSOP 封裝。這款器件具有過(guò)熱輸出標(biāo)記和輸出停用控制功能，因而無(wú)需額外的電路即可提供靈活的保護(hù)措施。