絕緣柵雙極晶體管（IGBT）是在需要高電壓和開(kāi)關(guān)頻率的電流電路中獲得相當(dāng)多的使用。一般來(lái)說(shuō)，這些電路是在電機(jī)控制，不間斷電源和其他類似的逆變器應(yīng)用。大部分的IGBT的流行源于其簡(jiǎn)單的MOSFET的柵極驅(qū)動(dòng)要求等。與在這種設(shè)計(jì)中正式使用的雙極晶體管相比，IGBT在驅(qū)動(dòng)電路的尺寸和復(fù)雜度上都有相當(dāng)大的降低。最近在IGBT開(kāi)關(guān)速度的改進(jìn)取得了設(shè)備適用于電源的應(yīng)用，因此IGBT將與某些高電壓MOSFET以及應(yīng)用。許多設(shè)計(jì)者因此轉(zhuǎn)向MOSFET驅(qū)動(dòng)器以滿足其IGBT驅(qū)動(dòng)要求。

　　IGBT驅(qū)動(dòng)器的要求可分為兩個(gè)基本的應(yīng)用類別：那些不適用于高集電極/發(fā)射器的IGBT的集電極/發(fā)射時(shí)，它關(guān)閉，和那些做。前者的例子是降壓調(diào)節(jié)器和前向變換器，僅采用一個(gè)開(kāi)關(guān)或多個(gè)開(kāi)關(guān)同時(shí)啟動(dòng)。在大多數(shù)橋電路（如逆變器和電機(jī)控制器）的關(guān)斷狀態(tài)下，當(dāng)反向設(shè)備打開(kāi)時(shí)，高dt / dt被應(yīng)用。在這種電路中，如果適當(dāng)?shù)臇艠O驅(qū)動(dòng)和布局預(yù)防措施未被執(zhí)行，通常會(huì)產(chǎn)生相反的結(jié)果，通常會(huì)產(chǎn)生災(zāi)難性的后果。這種行為是由寄生集電極-柵極（密勒）電容引起的，有效地形成具有柵極到發(fā)射極電容的電容分壓器，從而誘導(dǎo)柵極到發(fā)射極電壓，如圖1所示。