1954 年美國貝爾實驗室的 D: M: Chapin 等人研制出效率約為 6% 的單晶硅太陽電池 ［ 1］ ， 并于 1959 年首先在空間技術上得以應用。在隨后幾年里， 隨著空間應用太陽電池要求的提高以及電子制造業的發展， 硅太陽電池的效率提高很快; 1974 年太陽電池絨面技術的應用［ 2］ ， 使太陽電池的效率又有了新的突破; 但是此后的十年時間里， 其效率水平一直沒有突破 20%。此時， 澳大利亞新南威爾士大學 （ UN SW） 的 M: A: Green 教授帶領其研究小組研制的鈍化發射結技術的應用， 很大程度上降低了晶體硅太陽電池前、后表面少數載流子的復合， 從而實現了晶體硅太陽電池效率的再次飛躍。首先， 1984 年 研制 的鈍 化發 射結 太陽 電池 ［ 3］ （ passivated emitter so lar cell， PESC） 的效率達到了 19: 1%， 1985 年 V 型槽技術被應用到該電池上， 效率首次突破了 20%; 隨后研制的鈍化發射結及鈍化背表面太陽電池［ 4］ （ passivated emitter and rear cell， PERC） 取得了極大成功， 其效率達到 23% ; 此后， 1990 年研制的鈍化發射結及背面局部擴散太陽電池 ［ 5］ （ passiv ated emitter and r ear locally:diffused cell， PERLC） 效率達 24%; 1998 年改 進 的 PERLC 的 光 電 轉 換 效 率 達 到 了 24. 7% ［ 6］ ， 2008 年 10 月， 該機 構對其改進的 PERLC 的光電轉換效率原數值 24. 7% 重新計算后修訂為 25% ［ 7］ 。縱觀所有效率超過 20% 的太陽電池， 無一例外都采用了表面鈍化技術， 使太陽電池的有效少數載流子壽命保持在較高水平， 從而得到較高的開路電壓和短路電流［ 8］ 。可以說， 當今高效晶體硅太陽電池都是利用良好的表面鈍化技術來降低半導體的表面活性， 使表面的復合速度降低。其主要方式就是飽和半導體表面處的懸掛鍵， 降低表面活性， 增加表面的清潔程序， 避免由于表面層引入雜質而形成復合中心， 以此來降低少數載流子的表面復合速度［ 8］ 。目前晶體硅太陽電池表面鈍化技術的方法很多， 對于傳統的 p 型襯底而言， 有熱氧化法、等離子體增強化學氣相沉積法 （ PECV D） 等; 對于今后采用的 n 型襯底而言， 有原子層沉積法 （ ALD） 等。本文主要介紹晶體硅太陽電池表面鈍化膜的作用， 并對晶體硅太陽電池表面鈍化技術研究動態作了詳細介紹。