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在單晶硅太陽(yáng)電池的制備過(guò)程中 ，通常利用晶體硅［ 100 ］和［ 111 ］不同晶向在堿溶液中各向異性腐蝕特性 ，在表面形成類(lèi)似于“金字塔”的絨面結(jié)構(gòu) ，使得入射光在硅片表面多次反射 ，提高入射光吸收效率 ，可提高單晶硅太陽(yáng)電池的轉(zhuǎn)換效率。實(shí)驗(yàn)探索了一種廉價(jià)的硅織構(gòu)化腐蝕技術(shù) ，即單獨(dú)采用 Na2SiO3代替?zhèn)鹘y(tǒng)的氫氧化鈉和異丙醇溶液 ，以減少價(jià)格較高的異丙醇的用量 ，降低成本。不采用異丙醇或其他機(jī)械消泡的條件下 ，用質(zhì)量分?jǐn)?shù)為 5 %的 Na2SiO3溶液在 80 ℃腐蝕 120 min ，單晶硅片表面可獲得最佳反射率為 12. 56 %的減反射絨面。雖然與傳統(tǒng)的氫氧化鈉和異丙醇溶液效果相比 ，單獨(dú)使用 Na2SiO3溶液腐蝕單晶硅片表面的反射率和均勻性略差 ，但在傳統(tǒng)的氫氧化鈉和異丙醇體系中加入質(zhì)量分?jǐn)?shù)為 0. 1 %的 Na2SiO3也會(huì)促進(jìn)腐蝕反應(yīng)的進(jìn)行 ，獲得更加均勻的減反射絨面。
反應(yīng)時(shí)間和濃度對(duì)反射率的影響
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