碳化硅MOSFET的工作：挑戰(zhàn)和設(shè)計(jì)建議

　　對(duì)于大功率應(yīng)用，如電網(wǎng)轉(zhuǎn)換、電動(dòng)汽車(chē)或家用電器，碳化硅（MOSFET）MOSFET比硅IGBT具有許多優(yōu)點(diǎn)，包括更快的開(kāi)關(guān)速度、更高的電流密度和更低的通態(tài)電阻。然而，SiC MOSFET都有他們自己的擔(dān)憂(yōu)的問(wèn)題，包括耐用性、可靠性，在高頻響，及故障處理。

　　對(duì)于設(shè)計(jì)者來(lái)說(shuō)，成功應(yīng)用碳化硅MOSFET的關(guān)鍵是要深入了解碳化硅MOSFET獨(dú)特的操作特性及其對(duì)設(shè)計(jì)的影響。本文將提供這方面的見(jiàn)解，以及實(shí)現(xiàn)建議和解決方案示例。

　　Why SiC MOSFETs

　　To appreciate the capabilities of SiC MOSFETs it’s useful to compare them to their Si counterparts. SiC devices can block 10x more voltage than silicon， have a higher current density， can transition between the on and off states 10x faster， and have lower on-state resistance. For example， a 900 volt SiC MOSFET can provide the same on-state resistance as Si MOSFETs in a chip size 35x smaller （Figure 1）.