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在直拉法單晶硅生長過程中，石英坩堝會和硅熔體起反應，產生大量 SiO。在硅的熔化溫度之下，一氧化硅的蒸汽壓達到 9 托，因此很容易從熔體表面揮發掉。如果生長過程是在高度真空下操作，那么 SiO 從熔體表面揮發所帶來的沸騰現象，將給晶體生長帶來極大的影響。因此，晶體生長爐內的操作壓力很少低于 5 托。除非硅熔體發生過熱現象，否則在 5 托以上沸騰現象是不會發生的。
從硅熔體表面揮發的 SiO 氣體，在受到冷爐壁及氬氣的降溫作用后，會凝結成霧狀微粒。如果爐壁上凝結了過多的微粒，這些微粒可能會重新掉入硅熔體表面。而且當這些微粒撞到晶棒時，還可能使晶棒產生位錯而導致多晶的產生。當爐體內的操作壓力接近大氣壓時，上述現象更為嚴重，因此晶體生長時必須保證壓力在 5 托以上。為了減少 SiO 的凝結，爐體內必須通入氬氣，以帶走硅熔體表面揮發出來的SiO 氣體。通入的氬氣及大部分的 SiO 則由爐體底部的真空系統抽走。通入氬氣的另一目的是要同時帶走 C0 氣體，以避免 co 氣體重新進入熔體內，造成晶棒受到碳的污染。一般氬氣的流量在 20 一-．150dlpm 之間，端視生長晶體系統的大小及制程而定。去除了表面機械損傷的無位錯籽晶，雖然本身不會在新生長的晶體硅中引入位錯，但是在籽晶剛碰到液面時，由于熱振動可能在晶體中產生位錯，這些位錯甚至能夠延伸到整個晶體，而縮頸技術可以生長無位錯的單晶口卜 391。
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