在開關電源中，功率器件高頻導通/關斷的操作導致的電流和電壓的快速變化而產生較高的電壓及電流尖峰是產生 EMI 的主要原因。加緩沖吸收電路有利于降低 EMI，但會產生過多的功耗，增加元件數量、PCB 尺寸及系統成本。 通常情況下，系統前端要加濾除器和 Y 電容，Y 電容的存在會使輸入和輸出線間產生漏電流，具有 Y 電容的金屬殼手機充電器會讓使用者有觸電的危險，因此，一些手機制造商開始采用無 Y 電容的充電器，然而，去除 Y 電容會給 EMI 的設計帶來困難，本文將介紹無 Y 電容的充電器變壓器補償設計方法。

　　在開關電源中，功率器件高頻導通/關斷的操作導致的電流和電壓的快速變化而產生較高的電壓及電流尖峰是產生 EMI 的主要原因。加緩沖吸收電路有利于降低 EMI，但會產生過多的功耗，增加元件數量、PCB 尺寸及系統成本。

　　通常情況下，系統前端要加濾除器和 Y 電容，Y 電容的存在會使輸入和輸出線間產生漏電流，具有 Y 電容的金屬殼手機充電器會讓使用者有觸電的危險，因此，一些手機制造商開始采用無 Y 電容的充電器，然而，去除 Y 電容會給 EMI 的設計帶來困難，本文將介紹無 Y 電容的充電器變壓器補償設計方法。

　　變壓器補償設計

　　減小電壓和電流變化率及增加耦合通道阻抗是提高 EMI 性能的常用辦法，變壓器是另外一個噪聲源，而初級/次級的漏感及層間電容、初級和次級間的耦合電容則是噪聲的通道，初級或次級的層間電容可以通過減少繞組的層數來降低，增大變壓器骨架窗口的寬度可以減少繞組的層數。分離的繞組，如初級采用三明治繞法，可以減小初級的漏感，但由于增大了初級和次級的接觸面積，因而增大了初級和次級的耦合電容，采用銅皮的 Faraday 屏蔽可以減小初級與次級間的耦合電容。Faraday 屏蔽層繞在初級與次級之間，并且要接到初級或次級的靜點，如初級地和次級地。Faraday 屏蔽層會使初級和次級的耦合系統降低，從而增加了漏感。 開關管的導通電流尖峰由三部分組成：（1）變壓器初級繞組的層間電容充電電流；（2）MOSFET 漏-源極電容的放電電流；（3）工作在 CCM 模式的輸出二極管的方向恢復電流。導通電流尖峰不能通過輸入濾波的直流電解電容旁路，因為輸入濾波的直流電解電容有等效的串聯電感 ESL 和電阻 ESR，產生的差模電流會在電源的兩根輸入線間流動，對于變壓器而言，初級繞組兩端所加的電壓高，繞組層數少，層間電容少，然而，在很多應用中由于骨架窗口寬度的限制，以及為了保證合適的飽和電流，初級繞組通常用多層結構，本設計針對 4 層的初級繞組結構進行討論。 對于常規的 4 層初級繞組結構，在開關管導通和關斷的過程中，層間的電流向同一個方面流動，在圖 1 中在開關管導通時，原極接到初級的地，B 點電壓為 0，A 點電壓為 Vin，基于電壓的變化方向，初級繞組層間電容中電流流動的方向向下，累積形成的差模電流值大。在功率器件關斷瞬間，MOSFET 漏-源極電容充電變壓器初級繞組的層間電容放電，這兩部分電流也會形成差模電流，同樣，基于電壓的變化方向，初級繞組層間電容中的電流流動方向向上，累積形成的差模電流值大。