資料介紹
散熱仿真是開發電源產品以及提供產品材料指南一個重要的組成部分。優化模塊外形尺寸是終端設備設計的發展趨勢,這就帶來了從金屬散熱片向 PCB 覆銅層散熱管理轉換的問題。當今的一些模塊均使用較低的開關頻率,用于開關模式電源和大型無源組件。對于驅動內部電路的電壓轉換和靜態電流而言,線性穩壓器的效率較低。
隨著功能越來越豐富,性能越來越高,設備設計也變得日益緊湊,這時 IC 級和系統級的散熱仿真就顯得非常重要了。 ???? 一些應用的工作環境溫度為 70 到 125℃,并且一些裸片尺寸車載應用的溫度甚至高達 140℃,就這些應用而言,系統的不間斷運行非常重要。進行電子設計優化時,上述兩類應用的瞬態和靜態最壞情況下的精確散熱分析正變得日益重要。
散熱管理
圖 1 IC 封裝中典型的熱傳遞路徑
???? 低成本、小外形尺寸、模塊集成和封裝可靠性是選擇封裝時需要考慮的幾個方面。由于成本成為關鍵的考慮因素,因此基于引線框架的散熱增強封裝正日益受到人們的青睞。這種封裝包括內嵌散熱片或裸露焊盤和均熱片型封裝,設計旨在提高散熱性能。在一些表面貼裝封裝中,一些專用引線框架在封裝的每一面均熔接幾條引線,以起到均熱器的作用。這種方法為裸片焊盤的熱傳遞提供了較好的散熱路徑。?
IC?與封裝散熱仿真 ???? 散熱分析要求詳細、準確的硅芯片產品模型和外殼散熱屬性。半導體供應商提供硅芯片 IC 散熱機械屬性和封裝,而設備制造商則提供模塊材料的相關信息。產品用戶提供使用環境資料。 ???? 這種分析有助于 IC 設計人員對電源 FET 尺寸進行優化,以適用于瞬態和靜態運行模式中的最壞情況下的功耗。在許多電源電子 IC 中,電源 FET 都占用了裸片面積相當大的一部分。散熱分析有助于設計人員優化其設計。 ???? 選用的封裝一般會讓部分金屬外露,以此來提供硅芯片到散熱器的低散熱阻抗路徑。模型要求的關鍵參數如下:
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硅芯片尺寸縱橫比和芯片厚度。
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功率器件面積和位置,以及任何發熱的輔助驅動電路。
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電源結構厚度(硅芯片內分散情況)。
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硅芯片連接至外露金屬焊盤或金屬突起連接處的裸片連接面積與厚度。可能包括裸片連接材料氣隙百分比。
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外露金屬焊盤或金屬突起連接處的面積和厚度。
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使用鑄模材料和連接引線的封裝尺寸。
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硅芯片熱傳導性
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裸片連接、鑄模材料的熱傳導性
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金屬焊盤或金屬突起連接處的熱傳導性。
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封裝類型 (packageproduct) 和 PCB 相互作用
? ??
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多層 FR4 電路板(常見的為四層和六層電路板)
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單端電路板
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頂層及底層電路板
?散熱和熱阻路徑根據不同的實施方法而各異:
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連接至內部散熱片面板的散熱焊盤或突起連接處的散熱孔。使用焊料將外露散熱焊盤或突起連接處連接至 PCB 頂層。
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位于外露散熱焊盤或突起連接處下方PCB 上的一個開口,可以和連接至模塊金屬外殼的伸出散熱片基座相連。
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利用金屬螺釘將散熱層連接至金屬外殼的 PCB 頂部或底部覆銅層上的散熱片。使用焊料將外露散熱焊盤或突起連接處連接至 PCB 的頂層。
模型資料
???? 每一個 FET 的尺寸和縱橫比,對熱分布都非常重要。需要考慮的另一個重要因素是 FET 是否同時或順序上電。模型精度取決于所使用的物理數據和材料屬性。 ???? 模型的靜態或平均功耗分析只需很短的計算時間,并且一旦記錄到最高溫度時便出現收斂。 ???? 瞬態分析要求功耗-時間對比數據。我們使用了比開關電源情況更好的解析步驟來記錄數據,以精確地對快速功率脈沖期間的峰值溫度上升進行捕獲。這種分析一般費時較長,且要求比靜態功率模擬更多的數據輸入。 ???? 該模型可仿真裸片連接區域的環氧樹脂氣孔,或 PCB 散熱板的鍍層氣孔。在這兩種情況下,環氧樹脂/鍍層氣孔都會影響封裝的熱阻(請參見圖 2)。
圖 2 熱傳遞的熱阻路徑
散熱定義
Θja—表示周圍熱阻的裸片結點,通常用于散熱封裝性能對比。
· ? ? Θjc—表示外殼頂部熱阻的裸片結點。
· Θjp—表示外露散熱焊盤熱阻的芯片結點,通常用于預測裸片結點溫度的較好參考。
Θjb—表示一條引線熱阻路徑下電路板的裸片結點。
PCB?與模塊外殼的實施
數據表明需要進行一些改動來降低頂部層附近裸片上的 FET 最高溫度,以防止熱點超出 150C 的 T 結點。系統用戶可以選擇控制該特定序列下的功率分布,以此來降低裸片上的功率溫度。
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