適配器設計計算23步驟 12V1.5A方案設計 芯片：...... 1、輸入:100-264V 2、輸出：12V1.5A 3、效率：84%(5級能效80.2%，為便于生產故選84%） 4、Vcc：14V（選擇VCC開啟閥值） 5、工作頻率：60K （PFM） 這里講下PFM PFM優點空載時處于降頻模式也就降低了我們的開關損耗和導通損耗及IC負載低于一定的時候進入睡眠模式就是IC規格書中寫到的靜態電流穩態電流，就是說降低了IC的消耗，缺點是紋波動態響應沒有PWM好。 6、Dmax：0.45 占空比大于0.5會帶來環路不穩定的缺陷所以大家都控制在0.5以內 7、ΔB:(Bs-Br)*n=ΔB=(390-55)*0.6=0.2T Bs：390mT/100℃ Br：55mT 各家參數不同安全值取0.3Tmax CCM連續模式，電流不為零，ΔB變小，n取60% ΔB取值個人習慣 8、Vinmin、Vinmax計算： Vinmin=Vacmin*1.2=90*1.2=108V Vinmax=Vac*1.414=374V 9、磁芯選擇： AP=【（Po/η Po）*10000】/（2*ΔB*?*J*Ku） =【（18/0.84 18）*10000】/（2*0.2*60*1000*400*0.2） =394285.7/1920000 =0.205cm4 ?=60*1000 （Hz） J電流密度=400 Ku繞組系數=0.2 EF25 AP=0.2376cm4 AE=51.8 mm2 設計經驗： 1、Ae值小效率低溫度高，磁芯面積小扇熱差，罐裝磁芯輻射好，長寬磁芯漏感小。 2、Ae=Po*2 本人更喜歡這個公式Ae=18*2*1.4=50.4mm2 取：EF25：AE：51.8mm2 當然以上2種都可以選擇。 10、Np計算： 初級匝數： Np=VINmin*ton/ΔB/AE Np=108*7.5/0.2/51.8 =78.18T 取整79T 11、NS計算： 次級匝數：NS=（Vo Vd）*（1-Dmax)*NP/（VINmin*Dmax） =（18 0.6）*（1-0.45）*78/（108*0.45） =11.12T取整11T 12、N計算： 匝比計算：N=Np/Ns=79/11=7.18T 13、Iav計算 平均電流:Iav=Po/η/Vinmin =18/0.84/108 =0.198A 14、Ipk計算：峰值電流計算