一般32位單片機的內部FALSH是不支持字節操作的，有的可以按字節讀取，但是不能按字節寫入。

而且，一般單片機內部FALSH擦除的最小單位都是頁，如果向某頁中的某個位置寫入數據，恰好這個位置的前面存了其他數據，那么就必須把這頁擦除，存的其他數據也會丟失。

實際上就是說內部的FALSH不好做改寫的操作，如果有很多數據需要存放，最好是分頁存儲。這也是FALSH與E2PROM最大的區別，后者支持按字節操作且無需擦除，即使某一個地址寫壞了，也不影響其他地址。

下面介紹一種方法讓內部FLASH"支持"字節操作，且同一頁的其他數據不受影響。

方法原理很簡單，下面簡單介紹下原理：

1.根據要寫入地址，計算出該地址位于哪一頁；

2.讀出整個頁，存入緩存BUF；

3.將要寫入的數據按位置更新到BUF中；

4.擦除該頁；

5.寫入整個BUF。

可以看出這種方法弊端很明顯：

1.耗時長 每次寫都要讀整個BUF，然后還要先把數據存到BUF里，然后再寫入整個BUF；

2.FALSH擦寫次數增加，降低使用壽命；

下面給出測試代碼：

#include 
#include 
#include //C語言標準庫
#include "flash.h"
 
#define USER_FLASH_START_ADDR   0x01070000   //FLASH最后兩個扇區  供用戶使用
 
 
u32tou8 u32data;//定義一個聯合體
 
//==================================================================================
// 獲取某個地址所在的頁首地址
// addr:FLASH地址
// 返回:該地址所在的頁 共128頁（0~127）
//==================================================================================
unsigned int FLASH_GetFlashPage(unsigned int addr)
{
	  if (IS_FLASH_ADDRESS(addr))
		{
		   return  (addr&(~0xFFF));//清0低12位就是該頁的起始地址
  	} 
}
//==================================================================================
// 從FLASH中讀取 一個字（32位）
// addr:讀取地址
// 返回： 讀到的字數據
//備注： 地址為4字節對齊
//==================================================================================
unsigned int FLSAH_ReadWord(unsigned int addr)
{
    return (*(unsigned int *)addr);
}
 
 
//==================================================================================
//從FLASH指定地址 讀取數據
//備注： 讀取數據類型為32位  讀取地址為4字節對齊
//==================================================================================
void  FLASH_Read(unsigned int	ReadAddr,unsigned char *pBuffer,unsigned int NumToRead)
{
    unsigned int i;
	  u32tobyte cache;
    for(i=0; iRO = 0;//去掉所有扇區寫保護
    //==================================================================================
    // 判斷寫入地址是否非法  起始地址或者結束地址不在FALSH范圍內則退出
    //==================================================================================
    if(!(IS_FLASH_ADDRESS(startaddr)&& IS_FLASH_ADDRESS(endaddr))) return FLASH_ERROR_PG;
   
	   while(startaddr  remain)//需要寫入的數據量大于緩沖buf剩余字節數
				{
					for(i=index;i<4096;i++)//將需要寫入FALSH的數據寫入緩沖buff
					{
							 buffer[i]=*(pBuffer++);				
					}
					NumToWrite-=remain;//需要寫入的數據長度-本次已經寫入的數據長度	
          startaddr+=remain;//地址向后偏移本次寫入的字節數					
			  }
				else
				{
				  for(i=index;i

其中還有個聯合體的定義： 
typedef union
{
    unsigned int  data;
    unsigned char buf[4];
}
u32tou8;

FLASH_ErasePage、FLASH_ProgramWord、IS_FLASH_ADDRESS 這三個都是單片機FLASH的庫函數
各家單片機不同，但功能基本相同，這里不再提供源碼。
最后提供以下兩個FLASH接口即可：
FLASH_Write(unsigned int    WriteAddr,unsigned char *pBuffer,unsigned int NumToWrite);
 
FLASH_Read(unsigned int    ReadAddr,unsigned char *pBuffer,unsigned int NumToRead)

演示：
1.為方便查看結果，測試從0x1070FFC的位置開始寫入數據，FLASH地址分布如下圖所示：
這里展示了FLASH連續兩頁的地址，首先將這兩頁全部擦除。


2.接著從1070FFC的位置開始寫入56個1，這樣就保證了數據跨越了1頁。 
unsigned char write[]= {"1111111111111111111111111111111111111111111111111111111111111111111111111111111111111"};
FLASH_Write(0x01070FFC,write,sizeof(write));


 注意：最后的00是因為字符串的結尾字符是“/0”
3.緊接著，在0x1070FFE位置寫入新的字符串，也要保證寫入長度跨越1頁。
unsigned char write2[]={"23456789"};
FLASH_Write(0x01070FFE,write2,sizeof(write2));


可以看出，0x1070FFE~0x1071006的位置被寫入了新的字節，但這兩頁的其他位置數據保持不變。
總結：
1、實際使用時，如果不是受限于成本或者FLASH大小，不建議這樣讀寫內部FLASH，以為stm32內部FLASH也就
10W次壽命，這樣頻繁擦寫會大大降低FLASH壽命。
2、如果保存的數據不多，建議每個數據都單獨存1頁，這樣不用考慮擦除時會把其他數據也一并擦除。
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