資料介紹
在任何裝置中使用IGBT 都會(huì)遇到IGBT 的選擇及熱設(shè)計(jì)問(wèn)題。當(dāng)電壓應(yīng)力和電流應(yīng)力這2 個(gè)直觀參數(shù)確定之后, 最終需要根據(jù)IGBT 在應(yīng)用條件下的損耗及熱循環(huán)能力來(lái)選定IGBT。通常由于使用條件不同, 通過(guò)IGBT 數(shù)據(jù)手冊(cè)給出的參數(shù)不能確切得出應(yīng)用條件下IGBT 的損耗。比較好的方法是通過(guò)測(cè)量行業(yè)確定IGBT 數(shù)據(jù)手冊(cè)中參數(shù)的測(cè)量條件與實(shí)際應(yīng)用環(huán)境的差別, 并介紹IGBT 的損耗的簡(jiǎn)單測(cè)量方法。
IGBT 參數(shù)的定義
廠商所提供的IGBT 開關(guān)參數(shù)通常是在純感性負(fù)載下測(cè)量的, 圖1 和圖2 分別是IR 公司和TOSHIBA公司測(cè)量開關(guān)時(shí)間的電路和定義開關(guān)時(shí)間的波形。其共同特點(diǎn)是: 開通處于續(xù)流狀態(tài)的純感性負(fù)載; 關(guān)斷有箝位二極管的純感性負(fù)載。有些數(shù)據(jù)手冊(cè)還給出了開關(guān)過(guò)程的能量損失 ,也是在同樣條件下測(cè)量的。
對(duì)于PWM 方式工作并使用變壓器的開關(guān)電源, 其工作情況則與之區(qū)別很大。圖3 是11 kW 半橋型電路及其工作波形, 使用的IGBT 為GA75TS120U。由波形可見(jiàn), 電流上升時(shí)間tr 約為500 ns, 下降時(shí)間t f 約為300 ns。但在數(shù)據(jù)手冊(cè)中,GA75TS120U 的電流升降時(shí)間分別為t r= 100 ns,t f= 80 ns, 與實(shí)際工作情況差異較大。其原因主要在于以下2 個(gè)方面:
(1)開通時(shí),圖3 中由于變壓器漏感的存在, IGBT實(shí)際上開通了1 個(gè)零電流感性負(fù)載, 近似于零電流開通, 電流上升率受漏感充電速度的限制, 因而實(shí)際電流上升時(shí)間tr 不完全取決于IGBT。而數(shù)據(jù)手冊(cè)中給出開通處于續(xù)流狀態(tài)的純感性負(fù)載, 開通瞬間, IGBT 既要承受電感中的電流, 還要承受續(xù)流二極管的反向恢復(fù)電流, 電流上升率則完全取決于IGBT 的開通速度。
(2)關(guān)斷時(shí),圖3 中的IGBT 并非是在關(guān)斷1 個(gè)純感性負(fù)載, 而是關(guān)斷1 個(gè)R - L 型負(fù)載( 變壓器及其負(fù)載, 從變壓器一次側(cè)可等效為R -L 型負(fù)載) ,其電流的下降時(shí)間t f 要慢于關(guān)斷帶箝位的純感性負(fù)載。并且, 對(duì)于純感性負(fù)載, 只有當(dāng)IGBT 的集電極電壓上升到箝位值后, IGBT 的電流才開始下降( 見(jiàn)圖1、圖2 中波形) , 而電阻-電感性負(fù)載時(shí), 集電極電壓和電流幾乎是同時(shí)變化的( 見(jiàn)圖3b 波形) 。
由于上述原因,圖3 中IGBT 的t r、t f 均大于給定值, 但這并不意味著損耗的上升, 因?yàn)殚_關(guān)損耗還取決于開關(guān)過(guò)程中電壓電流的"重疊"程度, 而圖3中的"重迭"明顯不如圖1、圖2 中嚴(yán)重, 因而整體損耗將下降。
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