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4×4 寄存器（OC） 54170/74170
54LS170/74LS170
170 為具有集電極開路輸出的 16 位寄存器陣，共 54/74170，
54LS170/74LS170 兩種線路結構形式。其主要電特性的典型值
如下：
型號 尋址時間 讀允許時間 PD
54170/74170 30ns 15ns 635mW
54LS170/74LS170 25ns 20ns 125mW
170 由每字 4 位的 4 字組成，寫入尋址與讀出尋址分開，
并有單獨的讀出線。
寫入時，待儲存的 4 位字由D0～D3 輸入，字的地址由寫
地址譯碼輸入（AW0、AW1）和寫允許（ W EN ）來確定。當 W EN
為高電平時數據輸入被禁止。
讀出時，字的地址由讀地址譯碼輸入（AR0、AR1）和讀允
許（ R EN ）來確定。當ENR為高電平時數據輸出端（Q0～Q3）
被禁止并為高電平。
170 可同時讀出和寫入。尋址時數據不丟失。
利用集電極開路輸出，當把 256 個輸出端“線與”連接，
即可增加容量到 1024 字。若將任意個寄存器并聯可形成 n 位
字長。
引出端符號
AR0、AR1 讀地址輸入端
AW0、AW1 寫地址輸入端
D0～D3 數據輸入端
R EN 讀允許端（低電平有效）
W EN 寫允許端（低電平有效）
Q0～Q3 輸出端
極限值
電源電壓 7V
輸入電壓
54/74170 5.5V
54/74LS170 7V
輸出截止態電壓電壓
54/74170 5.5V
54/74LS170 7V
工作環境溫度
54××× -55～125℃
74××× -0～70℃
儲存溫度 -65℃～150℃
54LS170/74LS170
170 為具有集電極開路輸出的 16 位寄存器陣，共 54/74170，
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型號 尋址時間 讀允許時間 PD
54170/74170 30ns 15ns 635mW
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170 由每字 4 位的 4 字組成，寫入尋址與讀出尋址分開，
并有單獨的讀出線。
寫入時，待儲存的 4 位字由D0～D3 輸入，字的地址由寫
地址譯碼輸入（AW0、AW1）和寫允許（ W EN ）來確定。當 W EN
為高電平時數據輸入被禁止。
讀出時，字的地址由讀地址譯碼輸入（AR0、AR1）和讀允
許（ R EN ）來確定。當ENR為高電平時數據輸出端（Q0～Q3）
被禁止并為高電平。
170 可同時讀出和寫入。尋址時數據不丟失。
利用集電極開路輸出，當把 256 個輸出端“線與”連接，
即可增加容量到 1024 字。若將任意個寄存器并聯可形成 n 位
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AR0、AR1 讀地址輸入端
AW0、AW1 寫地址輸入端
D0～D3 數據輸入端
R EN 讀允許端（低電平有效）
W EN 寫允許端（低電平有效）
Q0～Q3 輸出端
極限值
電源電壓 7V
輸入電壓
54/74170 5.5V
54/74LS170 7V
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54/74170 5.5V
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