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TLC27L2和TLC27L7雙運算放大器把寬范圍的輸入失調電壓等級和低失調電壓漂移、高
輸入阻抗、極低的功耗以及高增益組合在一起。這些器件使用了德州儀器公司的硅柵（silicon-gate）LinCMOSTM工藝，它提供的失調電壓穩定性遠遠超過了常規金屬柵（metal-gate）工藝所能提供的穩定性。極高的輸入阻抗、低偏置電流以及低功耗使這些費效比甚佳的器件能理想地用于高增益、低頻率、低功耗的應用中。有四種失調電壓等級可供使用（后綴C和后綴I類型），其范圍從低成本的TLC27L2（10mV）至高精度的TLC27L7（500μV）。這些優點和良好的共模抑制比以及電源電壓抑制比結合在一起，使得這些器件成為最新現代化設計和對現有設計升級時的良好選擇。通常，LinCMOSTM運算放大器有許多與雙極性工藝相關的特性可供使用，它沒有雙極性工藝功率上的缺陷。一般應用例如變換器接口、模擬計算、放大器塊、有源濾波器以及信號緩沖能方便地用TLC27L2和TLC27L7設計。 器件也呈現低電壓單電源工作和超低功耗的特點，這使得它們能理想地適用于遠程和不可訪問的電池供電的應用中。共模輸入電壓范圍包括負電源電平。有很寬范圍的封裝選項可供使用，包括可用于高密度系統的小外形和芯片支座（chip-carrier）類型。器件輸入端和輸出端設計成能承受-100mA的浪涌電流而不遭受閉鎖（latch-up）。TLC27L2和TLC27L7有內部ESD保護，當遵照MIL-STD-883C標準、方法3015.2進行測試時，在高達2000V的電壓下，它可防止功能失效；但是，由于暴露在ESD下可能導致器件參數性能降低，所以在處理這些器件時要多加小心。
輸入阻抗、極低的功耗以及高增益組合在一起。這些器件使用了德州儀器公司的硅柵（silicon-gate）LinCMOSTM工藝，它提供的失調電壓穩定性遠遠超過了常規金屬柵（metal-gate）工藝所能提供的穩定性。極高的輸入阻抗、低偏置電流以及低功耗使這些費效比甚佳的器件能理想地用于高增益、低頻率、低功耗的應用中。有四種失調電壓等級可供使用（后綴C和后綴I類型），其范圍從低成本的TLC27L2（10mV）至高精度的TLC27L7（500μV）。這些優點和良好的共模抑制比以及電源電壓抑制比結合在一起，使得這些器件成為最新現代化設計和對現有設計升級時的良好選擇。通常，LinCMOSTM運算放大器有許多與雙極性工藝相關的特性可供使用，它沒有雙極性工藝功率上的缺陷。一般應用例如變換器接口、模擬計算、放大器塊、有源濾波器以及信號緩沖能方便地用TLC27L2和TLC27L7設計。 器件也呈現低電壓單電源工作和超低功耗的特點，這使得它們能理想地適用于遠程和不可訪問的電池供電的應用中。共模輸入電壓范圍包括負電源電平。有很寬范圍的封裝選項可供使用，包括可用于高密度系統的小外形和芯片支座（chip-carrier）類型。器件輸入端和輸出端設計成能承受-100mA的浪涌電流而不遭受閉鎖（latch-up）。TLC27L2和TLC27L7有內部ESD保護，當遵照MIL-STD-883C標準、方法3015.2進行測試時，在高達2000V的電壓下，它可防止功能失效；但是，由于暴露在ESD下可能導致器件參數性能降低，所以在處理這些器件時要多加小心。
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