共質心版圖是單步減小大范圍應力誘發失配最有效的技術。下圖中的ABAB結構兩個器件的質心沒有完全對準，應避免使用。ABBA結構雖然需要加Dummy器件，但其可以很好的減小應力誘發失配的影響。

　　當很多多晶電阻并排擺放時，在陣列邊緣的電阻條會受到刻蝕速率變化的影響，電阻朝外的側壁會很快刻蝕玩，朝內的邊刻蝕速率很慢，中間的電阻沒有向外的邊緣，因此最終寬度會比其他電阻稍大。Dummy resistor添加到匹配電阻陣列的兩端，以保證刻蝕的一致性。Dummy resistor的寬度可以比它們所保護的電阻小很多，但是dummy resistor和鄰近電阻的間距必須與陣列中電阻的間距匹配。把dummy resistor接地可以消除所有靜電調制的可能性。

　　更改原理圖后一定記得check and save

　　完成每個cell后要歸原點

　　器件的個數是否和原理圖一至（有并聯的管子時注意）；各器件的尺寸是否和原理圖一致。一般在拿到原理圖之后，會對布局有大概的規劃，先畫器件，（器件之間不必用最小間距，根據經驗考慮連線空間留出空隙）再連線。對每個器件的各端從什么方向，什么位置與其他物體連線必須先有考慮

　　如果一個cell調用其它cell，被調用的cell的vssx，vddx，vssb，vddb如果沒有和外層cell 連起來，盡量在布局低層cell時就連起來

　　盡量用最上層金屬接出PIN

　　接出去的線拉到cell邊緣，布局時記得留出走線空間

　　金屬連線不宜過長；也不能太寬。太長或是太寬的時候由于金屬應力的存在，工藝做的時候會發生形變，容易起翹

　　電容一般最后畫，在空檔處拼湊，電容上下級板的電壓注意要均勻分布；電容的長寬不宜相差過大，可以多個電容并聯

　　小尺寸的mos管孔可以少打一點

　　管子的溝道上盡量不要走線

　　多晶硅柵不能兩端都打孔連接金屬，柵上的孔最好打在柵的中間位置，一般打孔最少打兩個，Contact面積允許的情況下，能打越多越好，尤其是input/output部分，因為電流較大。但如果contact阻值遠大于diffusion則不適用。傳導線越寬越好，因為可以減少電阻值，但也增加了電容值。

　　連線接頭處要重疊，畫的時候將該區域放大可避免此錯誤。

　　擺放各個小CELL時注意不要擠得太近，沒有留出走線空間。最后線只能從器件上跨過去。

　　Text，PA等層只是用來做檢查或標志用，不用于光刻制造。

　　芯片內部的電源線/地線和ESD上的電源線/地線分開接;數模信號的電源線/地線分開。

　　PAD與芯片內部cell的連線要從ESD電路上接過去。

　　Esd電路的SOURCE放兩邊，DRAIN放中間。

　　NWELL有一定的隔離效果，但對于高頻的RF電路，采用深N阱效果較好。

　　上拉P管的D/G均接VDD，S接PAD，下拉N管的G/S接VSS，D接PAD，P/N管起二極管的作用。

　　關于匹配電路，放大電路不需要和下面的電流源匹配。但是對于差分電路，放大管要相互匹配，電流源也要相互匹配。使需要匹配的管子所處的光刻環境一樣。

　　匹配分為橫向，縱向，和中心匹配。

　　尺寸非常小的匹配管子對匹配畫法要求不嚴格，4個以上的匹配管子，局部和整體都匹配的匹配方式最佳。

　　在匹配電路的mos管左右畫上dummy，用poly，poly的尺寸與管子尺寸一樣，dummy與相鄰的第一個poly gate的間距等于poly gate之間的間距。