一：pcb 布線：

　　a： 單點接地，把所有 hb6803 周邊元件的地先接到 hb6803 的第7腳，第8腳，再接到最后一個輸出電容的地上。必須這樣做，也很容易做到。大電流的電源+和地，都必須先經過電容的+和地才能給負載供電，不可以不經過電容直接對負載供電（等于電容容量下降很多）。FB的上拉電阻+電容和下拉電阻最好靠近hb6803的第6 腳，Vout 走線最好不要通過電感，主 mosfet 的（LX 線）下面，否則會引入干擾，如果萬不得已必須走，則請在靠近第 6 腳附近加個 1uf 電容對地濾波。

　　b： 主回路（大電流走線）越短越好，含電源正和地線。一者走線有內阻，大電流會發熱。二者走線長，EMC 和 EMI 都不好過關，相當于電路中加入漏感。為了進一步減少交流阻抗，可以把輸入的瓷片電容的地，下功率管的地，和輸出瓷片電容的地靠很近，（可以放第二面，和下功率管的反面）。非常有效的減少交流阻抗。

　　二：mosfet 的選擇：不光是考慮內阻，主要考慮的是 mosfet 的開關損耗，有幾個關鍵參數特別注意：a： tr 上升沿時間。b： toff 下降沿時間。c： Ciss，Ciss 越少越好，單管建議不要超過 2500pf 為好。Ciss 太大，會讓 hb6803 發熱，同時功率管開通關斷損耗加大，降低效率，從而增加發熱。暫時小功率的 aon7544（30V），aon6504（30V），中功率的 aon6974（30V），aon6234（40V），IRFHM8334（30V）， TPH7R006RL 不錯。Aod4186 和 aod4184 也行，（比 aon6234 差些）， 60V 的管子在繼續選擇。我強烈建議在 100w 以及以下的應用上，選用好的 mosfet，不要用散熱片，降低成本，減少空間。