縮小MOS器件的尺寸是推進(jìn)VSI技術(shù)發(fā)展的關(guān)鍵因素。初期的MOS器件都是大尺寸的（10m左右），因而習(xí)慣上有→套適用它們的物理模型和計(jì)算方法，所得的結(jié)果與大尺寸器件的實(shí)測(cè)特性相符合。這種模型和計(jì)算方法叫做逐次溝避近似（Grad-ual Channel Approximation），筒稱(chēng)為GCA。但是，它對(duì)VLSI中的小尺寸器件不適用，必須進(jìn)行修正。本章將闡明MOS小尺寸器件的各種物理效應(yīng)（包括一級(jí)和二級(jí)效應(yīng)），并對(duì)GCA作相應(yīng)的各項(xiàng)修正。小尺寸Mos器件是VLS中最基本的元，必須了解其基本的物理和電學(xué)特性，建立起符合實(shí)際且較簡(jiǎn)便的計(jì)算模型公式，這是正確進(jìn)行計(jì)算機(jī)電路模擬的基礎(chǔ)，也是進(jìn)行VLSI設(shè)計(jì)計(jì)算的基本工具。實(shí)際上，計(jì)算機(jī)電路模擬的精度很大程度上決定于器件模型的精度。因此，建立一個(gè)較特確的、而且便于計(jì)算的器件模型對(duì)vLSI設(shè)計(jì)是至關(guān)重要的這也是本書(shū)首先介紹器件模型的原因。同時(shí)，由于目前國(guó)際上普逢使用美國(guó)加州大學(xué)伯克利（Berkeey）分校開(kāi)發(fā)的 SPICE電路模擬程序，所以我們也將結(jié)合它給出的小尺寸MOS器件模型進(jìn)行一定的介紹及分析討論，并指出它的不足，以利于那些用該程序的ⅥISI設(shè)計(jì)者對(duì)它有較正確的認(rèn)識(shí)。