1.三極管在ＢＥ之間加上正向電壓時(shí)，由于外加電場破壞了ＰＮ結(jié)的動(dòng)態(tài)平衡（ＰＮ結(jié)的動(dòng) 態(tài)平衡是指：多數(shù)載流子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)和少數(shù)載流子的漂移運(yùn)動(dòng)達(dá)到平衡，這句話很繞，其實(shí) 是這樣的：也就是說在ＰＮ結(jié)的接觸面上空穴和自由電子的數(shù)目是一樣的，從而達(dá)到電中性）。 這里我解釋一下，為什么在ＰＮ結(jié)內(nèi)會(huì)形成內(nèi)電場？原因是這樣的：因?yàn)樵冢行?a target='_blank' class='arckwlink_none'>半導(dǎo)體和Ｎ 型半導(dǎo)體內(nèi)多數(shù)載流的數(shù)目是不一樣的，從而形成濃度差，自然的進(jìn)行擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)，由于擴(kuò)散 運(yùn)動(dòng)，在 P 型半導(dǎo)體和 N 型半導(dǎo)體的接觸面上就會(huì)存在電勢差，從而就有了電場。而這個(gè) 電場力會(huì)阻礙 P 型半導(dǎo)體空穴向 N 型半導(dǎo)體移動(dòng)，而當(dāng)外加電場時(shí)，在 B 和 E 之間加正向 電壓時(shí)，會(huì)削弱內(nèi)電場，破壞了 PN 結(jié)的動(dòng)態(tài)平衡，從而擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)源源不斷的進(jìn)行，進(jìn)而產(chǎn) 生正向電流。

2.當(dāng) BE 之間加正向電壓時(shí)，N 型半導(dǎo)體，也就是 E 極的多數(shù)載流子（也就是自由電子）會(huì) 進(jìn)行擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)，到達(dá)基區(qū)，與基區(qū)的多數(shù)載流子空穴復(fù)合（當(dāng)然復(fù)合的電子及其的少）。由 于 E 極的自由電子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)從而產(chǎn)生 E 極電流，基區(qū)的自由電子和空穴復(fù)合，這種復(fù)合運(yùn) 動(dòng)產(chǎn)生 B 極電流，（當(dāng)然在這里，B 區(qū)的空穴也會(huì)向 E 極進(jìn)行擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)，產(chǎn)生電路，但及其 微弱，我們研究時(shí)都是忽略的）。

3.當(dāng)Ｃ和Ｅ之間加上反偏電壓時(shí)，到達(dá)基區(qū)的自由電子在外加電場力的作用力進(jìn)行擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)， 從而產(chǎn)生Ｃ極電流。Ｃ極電流是擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生的。

4.我們常說的放大倍數(shù) β 其實(shí)是交流放大倍數(shù)，還有一個(gè)直流放大倍數(shù)，它們近似是相等 的。

5.這里我想重點(diǎn)說一下，PN 結(jié)的結(jié)電容，PN 結(jié)的結(jié)電容是勢壘電容和分布電容的總和，有 電容的存在，那么三級(jí)管在對高頻信號(hào)放大時(shí)就需要去考慮它的分布電容對放大能力的影響。 這一點(diǎn)，讓我想到了 MOS 開關(guān)電路，為什么 MOS 管在做高頻開關(guān)時(shí)，需要接三級(jí)管圖騰柱 式的輸出，就是因?yàn)樵?MOS 管的 G 和 S 之間存在很大的電容，開關(guān)頻率過高，電容還未來 得及放電，下一個(gè)脈沖信號(hào)又來了，MOS 管起不到作用，因?yàn)椋呛?S 之間的電容在下一個(gè) 脈沖信號(hào)來之前它沒有放電完后，就一直處于導(dǎo)通狀態(tài)，MOS 管發(fā)熱及其嚴(yán)重，所以一旦 接了三極管的圖騰柱式輸出，可以在極短的時(shí)間里把電放掉，從而快速的通斷。