絕緣柵雙極晶體管本質上是一個場效應晶體管，只是在漏極和漏區(qū)之間多了一個 P 型層。根據(jù)國際電工委員會 IEC ／ TC （ CO ） 13 3 9 文件建議，其各部分名稱基本沿用場效應晶體管的相應命名。

　　圖 2 － 53 所示為一個N 溝道增強型絕緣柵雙極晶體管結構， N+ 區(qū)稱為源區(qū)，附于其上的電極稱為源極。N+ 區(qū)稱為漏區(qū)。器件的控制區(qū)為柵區(qū)，附于其上的電極稱為柵極。溝道在緊靠柵區(qū)邊界形成。在漏、源之間的P 型區(qū)（包括P+ 和P 一區(qū)）（溝道在該區(qū)域形成），稱為亞溝道區(qū)（ Subchannel region ）。而在漏區(qū)另一側的P+ 區(qū)稱為漏注入?yún)^(qū)（ Drain injector ），它是 IGBT 特有的功能區(qū)，與漏區(qū)和亞溝道區(qū)一起形成 PNP 雙極晶體管，起發(fā)射極的作用， 向漏極注入空穴，進行導電調制，以降低器件的通態(tài)電壓。附于漏注入?yún)^(qū)上的電極稱為漏極。

　　為了兼顧長期以來人們的習慣， IEC 規(guī)定：源極引出的電極端子（含電極端）稱為發(fā)射極端（子），漏極引出的電極端（子）稱為集電極端（子）。這又回到雙極晶體管的術語了。但僅此而已。

　　IGBT 的結構剖面圖如圖2 － 53 所示。它在結構上類似于MOSFET ，其不同點在于 IGBT 是在 N 溝道功率 MOSFET 的 N+ 基板（漏極）上增加了一個P+ 基板（ IGBT 的集電極），形成PN 結j1 ，并由此引出漏極、柵極和源極則完全與MOSFET 相似。