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FET的特性與應用電路
電界效應半導體(FET: Field Effect Transistor，以下簡稱為FET)與電晶體同樣擁有古老的歷史，兩者最大差
異是FET 的消費電力比一般電晶體更低，目前FET 大多應用在微處理器數位IC/LSI、無線系統的Front-end、
Switching 電源控制器，以及馬達驅動控制器等領域。接著本文要利用模擬分析深入探討FET 的動作特性與
應用電路
FET的動作原理
FET 與電晶體一樣都是屬三端子半導體元件，雖然它的外形隨著用途有各種形狀，不過動作原理卻完全相
同。如圖1 所示FET 依照內部結構可以分成2 大類，分別是Gate Channel 之間有二極體的FET，與Gate
Channel 之間呈絕緣狀的FET。
圖2 是FET 電路圖常用符號，由圖可知常用符號依照內部結構也分成2 大類，分別是N 型 Channel 與P
型 Channel；三個端子的名稱分別Gate、Source、Drain，雖然FET 的動作原理與電晶體不同，不過功能上
Gate 相當於電晶體的Base，Source 相當於電晶體的Emitter，Drain 相當於電晶體的Collector(圖3)。
電界效應半導體(FET: Field Effect Transistor，以下簡稱為FET)與電晶體同樣擁有古老的歷史，兩者最大差
異是FET 的消費電力比一般電晶體更低，目前FET 大多應用在微處理器數位IC/LSI、無線系統的Front-end、
Switching 電源控制器，以及馬達驅動控制器等領域。接著本文要利用模擬分析深入探討FET 的動作特性與
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FET的動作原理
FET 與電晶體一樣都是屬三端子半導體元件，雖然它的外形隨著用途有各種形狀，不過動作原理卻完全相
同。如圖1 所示FET 依照內部結構可以分成2 大類，分別是Gate Channel 之間有二極體的FET，與Gate
Channel 之間呈絕緣狀的FET。
圖2 是FET 電路圖常用符號，由圖可知常用符號依照內部結構也分成2 大類，分別是N 型 Channel 與P
型 Channel；三個端子的名稱分別Gate、Source、Drain，雖然FET 的動作原理與電晶體不同，不過功能上
Gate 相當於電晶體的Base，Source 相當於電晶體的Emitter，Drain 相當於電晶體的Collector(圖3)。
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