MOSFET的基礎知識:2.功率MOSFET 的結構和工作原理:功率MOSFET的種類：按導電溝道可分為P 溝道和N 溝道。按柵極電壓幅值可分為；耗盡型；當柵極電壓為零時漏源極之間就存在導電溝道，增強型；對于N（P）溝道器件，柵極電壓大于（小于）零時才存在導電溝道，功率MOSFET 主要是N溝道增強型。
2.1 功率MOSFET 的結構
功率 MOSFET 的內部結構和電氣符號如圖1 所示；其導通時只有一種極性的載流子（多子）參與導電，是單極型晶體管。導電機理與小功率mos管相同，但結構上有較大區別，小功率MOS 管是橫向導電器件，功率MOSFET 大都采用垂直導電結構，又稱為VMOSFET（Vertical MOSFET），大大提高了MOSFET 器件的耐壓和耐電流能力。
按垂直導電結構的差異，又分為利用V 型槽實現垂直導電的VVMOSFET 和具有垂直導電雙擴散MOS 結構的VDMOSFET
（Vertical Double-diffused MOSFET），本文主要以VDMOS 器件為例進行討論。
功率 MOSFET 為多元集成結構，如國際整流器公司（International Rectifier）的HEXFET 采用了六邊形單元；西門子公司
（Siemens）的SIPMOSFET 采用了正方形單元；摩托羅拉公司（Motorola）的TMOS 采用了矩形單元按“品”字形排列。
2.2 功率MOSFET 的工作原理
截止：漏源極間加正電源，柵源極間電壓為零。P 基區與N漂移區之間形成的PN結J1 反偏，漏源極之間無電流流過。
導電：在柵源極間加正電壓UGS，柵極是絕緣的，所以不會有柵極電流流過。但柵極的正電壓會將其下面P 區中的空穴推
開，而將P 區中的少子—電子吸引到柵極下面的P 區表面
當UGS 大于UT（開啟電壓或閾值電壓）時，柵極下P 區表面的電子濃度將超過空穴濃度，使P 型半導體反型成N型而成為反型層，該反型層形成N溝道而使PN結J1消失，漏極和源極導電。