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本文提供了GaN晶體管的一般偏置電路設計信息。有許多不同的設計方法可以用來成功地實現GaN偏置電路，其中可以作出權衡，以優化應用的性能、成本、尺寸和復雜性。本文件強調了最小偏置電路設計要求，以防止可能影響性能或導致設備故障的意外偏置條件。有關偏置電路設計的幫助，請聯系Qorvo應用支持部門。
Qorvo-GaN器件是耗盡型器件，因此在漏極電壓存在時需要負柵極電壓以防止損壞。當柵極電壓為VGS=0v，并且存在漏極電壓時，器件將具有大電流和大功率損耗，這可能會永久損壞器件。用戶應通過硬件或軟件控制確保當存在漏極電壓時，設備上始終存在負柵極電壓。用戶還應考慮漏極偏壓饋源上旁路電容器的放電，該漏極偏壓饋源在漏極電源電壓消除后可保持一段時間的電壓。
用戶通過調整柵極電壓（VGS）來設置器件的IDQ偏置電流，由于GaN器件的閾值變化，Qorvo建議調整每個器件的柵極電壓，以保持器件之間的靜態偏置電流一致。固定柵極電壓偏置電路由于閾值的變化會導致大范圍的IDQ。固定電壓的情況下，可以從低或無電流的IDQ到非常高的IDQ電流分布的設備。低IDQ會影響射頻性能，而高電流也會影響性能，甚至在電流過高時損壞設備。設計人員可參考數據表了解參考偏差條件。設計者還可以靈活地調整與數據表不同的偏差，以針對不同的性能標準進行優化。調節靜態電流會影響增益、效率、線性度和穩定性。可以優化偏差以在這些參數之間進行權衡。當偏離推薦的數據表偏壓條件時，設計者需要確認沒有超過耗散功率限制或電源電壓限制。溫度影響閾值電壓，在恒定柵極電壓下，閾值電壓會導致漏極電流的變化。圖1顯示了具有固定VG的IDQ與溫度的關系示例。如果應用要求在線性應用中保持恒定電流，則必須調整VGS以保持恒定電流。圖2顯示了維護固定IDQ的vg示例。
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