MOS管學名是場效應管，是金屬-氧化物-半導體型場效應管，屬于絕緣柵型，本文就結構構造、特點、實用電路等幾個方面用工程師的話詳細描述。 其結構示意圖： 解釋1：溝道? 上面圖中，下邊的p型中間一個窄長條就是溝道，使得左右兩塊P型極連在一起，因此mos管導通后是電阻特性，因此它的一個重要參數就是導通電阻，選用mos管必須清楚這個參數是否符合需求。? 解釋2：n型? 上圖表示的是p型mos管，讀者可以依據此圖理解n型的，都是反過來即可，因此，不難理解，n型的如圖在柵極加正壓會導致導通，而p型的相反。? 解釋3：增強型? 相對于耗盡型，增強型是通過“加厚”導電溝道的厚度來導通，柵極電壓越低，則p型源、漏極的正離子就越靠近中間，n襯底的負離子就越遠離柵極，柵極電壓達到一個值，叫閥值或坎壓時，由p型游離出來的正離子連在一起，形成通道，就是圖示效果。 因此，容易理解，柵極電壓必須低到一定程度才能導通，電壓越低，通道越厚，導通電阻越小。 由于電場的強度與距離平方成正比，因此，電場強到一定程度之后，電壓下降引起的溝道加厚就不明顯了，也是因為n型負離子的“退讓”是越來越難的。 耗盡型的是事先做出一個導通層，用柵極來加厚或者減薄來控制源漏的導通。但這種管子一般不生產，在市面基本見不到， 所以，大家平時說mos管，就默認是增強型的。? 解釋4：左右對稱? 圖示左右是對稱的，難免會有人問怎么區分源極和漏極呢？其實原理上，源極和漏極確實是對稱的，是不區分的。 但在實際應用中，廠家一般在源極和漏極之間連接一個二極管，起保護作用，正是這個二極管決定了源極和漏極，這樣，封裝也就固定了，便于實用。 我的老師年輕時用過不帶二極管的mos管， 非常容易被靜電擊穿，平時要放在鐵質罐子里，它的源極和漏極就是隨便接。? 解釋5：金屬氧化物膜? 圖中有指示，這個膜是絕緣的，用來電氣隔離，使得柵極只能形成電場，不能通過直流電，因此是用電壓控制的。 在直流電氣上，柵極和源漏極是斷路，不難理解，這個膜越薄電場作用越好、坎壓越小、相同柵極電壓時導通能力越強， 壞處是： 越容易擊穿、工藝制作難度越大而價格越貴。 例如導通電阻在歐姆級的，1角人民幣左右買一個，而2402等在十毫歐級的，要2元多（批量買。 零售是4元左右）。? 解釋6：與實物的區別? 上圖僅僅是原理性的，實際的元件增加了源-漏之間跨接的保護二極管，從而區分了源極和漏極。 實際的元件，p型的襯底是接正電源的，使得柵極預先成為相對負電壓，因此p型的管子，柵極不用加負電壓了，接地就能保證導通。 相當于預先形成了不能導通的溝道，嚴格講應該是耗盡型了，好處是明顯的，應用時拋開了負電壓。? 解釋7：寄生電容? 上圖的柵極通過金屬氧化物與襯底形成一個電容，越是高品質的mos，膜越薄，寄生電容越大，經常mos管的寄生電容達到nF級，這個參數是mos管選擇時至關重要的參數之一，必須考慮清楚。 Mos管用于控制大電流通斷，經常被要求數十K乃至數M的開關頻率，在這種用途中，柵極信號具有交流特征，頻率越高交流成分越大，寄生電容就能通過交流電流的形式通過電流，形成柵極電流。 消耗的電能、產生的熱量不可忽視，甚至成為主要問題，為了追求高速，需要強大的柵極驅動，也是這個道理。