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氮化鎵技術(shù)非常適合4.5G或5G系統(tǒng)，因?yàn)轭l率越高，氮化鎵的優(yōu)勢越明顯。但對于手機(jī)而言，氮化鎵材料還有很多難題需要解決。網(wǎng)絡(luò)基礎(chǔ)設(shè)施與反導(dǎo)雷達(dá)等領(lǐng)域都要求使用高性能高功率密度的射頻器件，這使得市場對于射頻氮化鎵（GaN）器件的需求不斷升溫。舉個(gè)例子，現(xiàn)在的無線基站里面，已經(jīng)開始用氮化鎵器件取代硅基射頻器件，在基站設(shè)備上，氮化鎵器件的使用得越來越廣泛。氮化鎵受青睞主要是因?yàn)樗菍捊麕В╳ide-bandgap）器件，與硅或者其他三五價(jià)器件相比，氮化鎵速度更快，擊穿電壓也更高。現(xiàn)在，為了把氮化鎵器件推到更大的市場去，一些射頻氮化鎵廠商開始考慮在未來的手持設(shè)備中使用氮化鎵。對于現(xiàn)在的手機(jī)而言，氮化鎵的性能過剩，價(jià)格又太貴。但將來支持下一代通信標(biāo)準(zhǔn)（即5G）的手機(jī)，使用氮化鎵是有可能的。氮化鎵技術(shù)非常適合4.5G或5G系統(tǒng)，因?yàn)轭l率越高，氮化鎵的優(yōu)勢越明顯。但對于手機(jī)而言，氮化鎵材料還有很多難題需要解決，例如功耗、散熱與成本。
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