對電子設備來說，發熱意味著工作壽命的縮短。因此，熱量管理成了所有電路設計人員都關心的一個問題，特別是針對大信號時。在射頻/微波電路中，大信號常見于功率放大器和系統發送端元件。不管是連續波（CW）信號還是脈沖信號，如果產生的熱量得不到有效疏導，它們都將導致印制電路板（PCB）上和系統中的熱量積聚。防止電路熱量積聚需要一定的想象力：可以想象成熱量從一個熱源（如功率晶體管）流向一個目的地（如散熱片或設備底座）。理解熱量在系統各射頻/微波元件中是如何產生的也有助于熱量分析。例如，功率放大器發熱不是僅因其工作在大功率級，諸如放大器效率、放大器輸出端的阻抗匹配（VSWR）以及源自放大器輸出的熱路徑等因素都會影響放大器熱量的產生。盡管具有 50%效率的功率放大器似乎已經很不錯，但這也會浪費掉系統供給它的一半能量，其中大部分以熱量的形式損失掉了。除功率放大器外，像濾波器和功率分配器這樣的無源器件的插入損耗以及元件、同軸電纜和其它互連器件連接處的阻抗不匹配 （高VSWR）也會導致“散熱障礙”。高效的熱管理需要了解熱量從源（例如放大器）流過所有連接電纜和其它元件再到散熱終點的熱量流動過程。在電路層面，熱管理也是放大器自身的一個問題，因為熱量從放大器的有源器件向外流動--有些熱量通過電路板材料，有些進入周圍元件，有些流入電路板上下方周圍的空氣。理想情況下，可以提供一條讓熱量從有源器件正確地散發出來的路徑，因為這些器件周圍的熱量積聚也會縮短它們的工作壽命。此外，這些熱量可能對某些器件造成有害影響，比如在硅雙極型晶體管中溫度的不斷上升，即通常所說的“熱失控”。在散熱不當的情況下，有些器件相比其它器件更易受到損壞。例如，GaAs半導體襯底的導熱率大約只有硅器件的三分之一。在高溫下，GaAs晶體管也可能遭受記憶效應的影響（也就是說即使溫度已經下降，器件仍可能工作在高溫時的特定增益狀態），進而導致器件線性性能變差。熱量分析實質上是基于對器件或電路中使用的不同材料的研究，以及這些材料的熱阻或其對熱量流動的阻力。當然，反過來說就是材料的導熱率，這是衡量材料導熱能力的一個指標。熱材料（比如導熱膠和電路板材料）的數據手冊中一般都列有這一參數，參數值越高，代表這種材料處理大功率級和發熱量的能力就越高。熱阻可以用溫度變化（該數值是作為所采用功率的函數）來描述，通常單位為℃/W.在為器件、電路板和系統建立熱量模型時，必須考慮所有熱效應的影響，這不僅包括器件的自發熱效應，還包括其對周邊器件的影響。由于這些交互作用的存在，熱建模一般是通過構建一個帶有全部發熱器件的熱矩陣來完成的。