資料介紹
圖1:開關(guān)損耗
讓我們先來看看在集成高側(cè)MOSFET中的開關(guān)損耗。在每個開關(guān)周期開始時,驅(qū)動器開始向集成MOSFET的柵極供應(yīng)電流。從第1部分,您了解到MOSFET在其終端具有寄生電容。在首個時段(圖1中的t1),源極電壓(VGS)正接近MOSFET的閾值電壓,VTH和漏電流為零。因此,在此期間的功率損耗為零。在t2時段,MOSFET的寄生輸入電容(CISS)開始充電,而漏極電流開始流經(jīng)MOSFET,呈線性增加。對降壓拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)來講,該電流是負(fù)載電流,而漏源電壓(VDS)是輸入電壓(VIN)。因此,在第二個時段(t2),功率損耗可通過等式1表示:
MOSFET的輸入寄生電容沖完電后,負(fù)載電流流經(jīng)MOSFET,而VD…
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