RF 設備的鄰道泄漏比 (ACLR)

2512892 2022-11-18 | pdf | 113.89KB | 次下載 | 免費

資料介紹

ACLR/IMD 模型ACLR/IMD 模型查看 RF 設備中 ACLR 退化源的一種簡便方法是將寬帶載波頻譜建模為單個 CW 子載波的集合。這些子載波中的每一個都將承載總載波功率的一小部分。下圖說明了這樣一個模型。在這種情況下，連續 RF 載波由四個單獨的 CW 子載波建模，每個 CW 子載波具有總寬帶載波功率的四分之一。子載波在整個載波帶寬上以相等的間隔分布。查看 RF 設備中 ACLR 退化源的一種簡便方法是將寬帶載波頻譜建模為單個 CW 子載波的集合。這些子載波中的每一個都將承載總載波功率的一小部分。下圖說明了這樣一個模型。在這種情況下，連續 RF 載波由四個單獨的 CW 子載波建模，每個 CW 子載波具有總寬帶載波功率的四分之一。子載波在整個載波帶寬上以相等的間隔分布。圖 1. 寬帶載波信號的副載波模型。圖 1. 寬帶載波信號的副載波模型。圖 1圖 1中的綠線中的綠線從左到右分別稱為子載波1、2、3、4。如果我們只看左邊的兩個子載波（1 和 2），我們可以考慮由 RF 設備中的任何 IMD3 失真產生的三階 IMD 產物。這種三階失真本身表現為兩個副載波兩側的低電平副載波。兩個“綠色”副載波左側的第一個“紅色”失真產物是這兩個副載波的 IMD3 失真的結果。從左到右分別稱為子載波1、2、3、4。如果我們只看左邊的兩個子載波（1 和 2），我們可以考慮由 RF 設備中的任何 IMD3 失真產生的三階 IMD 產物。這種三階失真本身表現為兩個副載波兩側的低電平副載波。兩個“綠色”副載波左側的第一個“紅色”失真產物是這兩個副載波的 IMD3 失真的結果。來自副載波 1 和 3 的 IMD3 分量在與載波 1 的相等頻率間隔處具有 IMD3 失真產物。這會在載波頻譜左側生成第二個“紅色”IM 產物。類似地，副載波 1 和 4 的 IMD3 會在遠離載波邊緣的地方產生失真產物。來自副載波 1 和 3 的 IMD3 分量在與載波 1 的相等頻率間隔處具有 IMD3 失真產物。這會在載波頻譜左側生成第二個“紅色”IM 產物。類似地，副載波 1 和 4 的 IMD3 會在遠離載波邊緣的地方產生失真產物。值得注意的是，這里還有其他 IMD 產品。子載波 2 和 4 產生 IM3 產物，它直接落在子載波 1 和 2 的 IMD 產物之上。這種疊加效應迫使靠近 RF 載波邊緣的 IMD 產物的幅度高于那些遠離 RF 載波邊緣的 IMD 產物RF 載波的邊緣，產生出現在 ACLR 失真頻譜中的特征“肩峰”。Leffel1 的一篇論文詳細介紹了來自多個子載波的 IMD 產品的總和。值得注意的是，這里還有其他 IMD 產品。子載波 2 和 4 產生 IM3 產物，它直接落在子載波 1 和 2 的 IMD 產物之上。這種疊加效應迫使靠近 RF 載波邊緣的 IMD 產物的幅度高于那些遠離 RF 載波邊緣的 IMD 產物RF 載波的邊緣，產生出現在 ACLR 失真頻譜中的特征“肩峰”。Leffel1 的一篇論文詳細介紹了來自多個子載波的 IMD 產品的總和。這種方法可以量化以預測各個 IMD3 失真產物的實際水平。該模型還可以通過增加模型中使用的單個子載波的數量來擴展，這有助于提高其準確性。2 多個寬帶載波的 ACLR 性能看起來很像該模型的 ACLR，其中每個單獨的寬帶載波占據總寬帶載波帶寬。鄰近寬帶載波集合中最后一個載波的載波的 ACLR 位于 IMD3 引起的失真響應的高肩上。這導致多載波情況下的 ACLR 比單載波系統的 ACLR 差很多。同樣，這種影響可以量化并用于準確預測單個或多個寬帶載波的 ACLR 性能。