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校準(zhǔn) DS2761 的偏移寄存器

2512991 2022-11-18 | pdf | 101.0KB | 次下載 | 免費

資料介紹

介紹介紹裝配錯誤或設(shè)備校準(zhǔn)不當(dāng)可能會完全抵消鋰離子 (Li+) 保護和高精度電量計量的優(yōu)勢。本應(yīng)用筆記舉例說明了如何正確校準(zhǔn) DS2761 高精度電流 A/D 的失調(diào)。裝配錯誤或設(shè)備校準(zhǔn)不當(dāng)可能會完全抵消鋰離子 (Li+) 保護和高精度電量計量的優(yōu)勢。本應(yīng)用筆記舉例說明了如何正確校準(zhǔn) DS2761 高精度電流 A/D 的失調(diào)。校準(zhǔn)電流偏移校準(zhǔn)電流偏移DS2761 的電流 A/D 非常靈敏。它能夠測量檢測電阻兩端的壓降僅為 15.625μV。這種精度只能通過在電池組組裝后校準(zhǔn)電流測量來實現(xiàn)。電流偏移寄存器（地址 0x33h）允許 DS2761 的電流測量值調(diào)整 ±127 LSbs（±79.375mA 或 ±1.984mV），以精確測量非常小的電流。該偏移量從每個電流測量值內(nèi)部減去，并反映在電流寄存器和累積電流寄存器中。DS2761 的電流 A/D 非常靈敏。它能夠測量檢測電阻兩端的壓降僅為 15.625μV。這種精度只能通過在電池組組裝后校準(zhǔn)電流測量來實現(xiàn)。電流偏移寄存器（地址 0x33h）允許 DS2761 的電流測量值調(diào)整 ±127 LSbs（±79.375mA 或 ±1.984mV），以精確測量非常小的電流。該偏移量從每個電流測量值內(nèi)部減去，并反映在電流寄存器和累積電流寄存器中。在整個應(yīng)用的溫度和電壓范圍內(nèi)，器件的電流偏移可能會略有變化。因此，建議在應(yīng)用的平均溫度和電壓下校準(zhǔn)失調(diào)。例如，手機或 PDA 大部分時間都處于大約 25°C 和 3.8V 的環(huán)境中，這是室溫和電池電壓的中間范圍。在整個應(yīng)用的溫度和電壓范圍內(nèi)，器件的電流偏移可能會略有變化。因此，建議在應(yīng)用的平均溫度和電壓下校準(zhǔn)失調(diào)。例如，手機或 PDA 大部分時間都處于大約 25°C 和 3.8V 的環(huán)境中，這是室溫和電池電壓的中間范圍。以下示例列出了在線校準(zhǔn) DS2761 的步驟：以下示例列出了在線校準(zhǔn) DS2761 的步驟：1. 初始化偏移寄存器1. 初始化偏移寄存器建議首先將偏移寄存器寫入 0x00h。用戶可以在不影響校準(zhǔn)精度的情況下選擇不同的偏移值作為起點。在確定第 4 步中計算的新偏移值時，需要注意起始偏移值。對于本例，假設(shè)使用 0x00h 作為起始點。建議首先將偏移寄存器寫入 0x00h。用戶可以在不影響校準(zhǔn)精度的情況下選擇不同的偏移值作為起點。在確定第 4 步中計算的新偏移值時，需要注意起始偏移值。對于本例，假設(shè)使用 0x00h 作為起始點。2. 確認(rèn)沒有電流流過2. 確認(rèn)沒有電流流過在大多數(shù)情況下，將 0x00h 寫入保護寄存器以禁用保護 FET 將切斷流入或流出電池組的任何電流。然而，一些可能跨接在電池組兩端的電源或負(fù)載會有小的漏電流，這會影響失調(diào)校準(zhǔn)的準(zhǔn)確性。這種泄漏可以通過在連接和不連接負(fù)載的情況下校準(zhǔn)偏移量來檢測。如果在兩次測試中計算出不同的偏移值，則在校準(zhǔn)之前需要通過開關(guān)繼電器物理移除或斷開負(fù)載。