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碳化硅(SiC)器件制造技術(shù)與硅制造有許多相似之處，但識別材料差異是否會影響清洗能力對于這個不斷發(fā)展的領(lǐng)域很有意 義。材料參數(shù)差異包括擴(kuò)散系數(shù)、表面能和化學(xué)鍵強(qiáng)度，所有這些都可以在清潔關(guān)鍵表面方面發(fā)揮作用。這項(xiàng)工作將100毫米 或150毫米4H碳化硅晶片經(jīng)過汞探針電容電壓(MCV)繪圖后的痕量表面污染水平與后續(xù)清洗后的水平進(jìn)行了比較。在MCV期 間，痕量金屬如汞、鐵和鎳被可控地添加，并且顯示出多種清潔方法可以將碳化硅表面恢復(fù)到低于5x1010原子/cm2的清潔度水 平。討論了這些清洗在集成器件工藝流程中的位置以及成本比較。
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