資料介紹
H橋電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路的核心包括4個(gè)MOSFET管和1個(gè)電機(jī),如下圖所示。 1 電路工作原理如下:為了使電機(jī)運(yùn)轉(zhuǎn),必須導(dǎo)通對角線上的一對MOSFET管。根據(jù)不同MOSFET管對的導(dǎo)通情況,電流可能會(huì)從左至右或從右至左流過電機(jī),從而控制電機(jī)的轉(zhuǎn)向。當(dāng)Q3管和Q6管導(dǎo)通 時(shí),電流從電源正極經(jīng)Q3從左至右穿過電機(jī),再經(jīng)Q6回到電源負(fù)極,該流向的電流將驅(qū)動(dòng)電機(jī)順時(shí)針轉(zhuǎn)動(dòng)。當(dāng)MOSFET管Q4和Q5導(dǎo)通時(shí),電流將從右至左流過電機(jī),驅(qū)動(dòng)電機(jī)逆時(shí)針轉(zhuǎn)動(dòng)。通過控制 PWM波形的占空比,達(dá)到對電機(jī)調(diào)速的目的。我們使用單極性PWM波和方向信號(hào)控制電機(jī)的轉(zhuǎn)速和轉(zhuǎn)向。
H橋左邊的附加電路的作用是方便單極性PWM波控制H橋4個(gè)MOSFET管的通斷。其中V_GND模塊是測量電路中該點(diǎn)相對GND的電勢。分析可知通過R1,R11的上拉,電路在附加電路的MOSFET管未 導(dǎo)通時(shí),輸出高電平。所以Dir1,Dir2輸入端口輸入LOW,HIGH信號(hào)即可使Ua端口輸出正值。 電路中所有的N溝道MOSFET飽和導(dǎo)通電壓閾值為1v,P溝道MOSFET飽和導(dǎo)通電壓閾值為-1;H橋中的二極管起到續(xù)流的作用。附加電路的二極管的作用是保證只接受正電壓。 我們將該電路封裝成一個(gè)子模塊如下圖。其中Vcc是電機(jī)能達(dá)到的最大工作電壓。
H橋左邊的附加電路的作用是方便單極性PWM波控制H橋4個(gè)MOSFET管的通斷。其中V_GND模塊是測量電路中該點(diǎn)相對GND的電勢。分析可知通過R1,R11的上拉,電路在附加電路的MOSFET管未 導(dǎo)通時(shí),輸出高電平。所以Dir1,Dir2輸入端口輸入LOW,HIGH信號(hào)即可使Ua端口輸出正值。 電路中所有的N溝道MOSFET飽和導(dǎo)通電壓閾值為1v,P溝道MOSFET飽和導(dǎo)通電壓閾值為-1;H橋中的二極管起到續(xù)流的作用。附加電路的二極管的作用是保證只接受正電壓。 我們將該電路封裝成一個(gè)子模塊如下圖。其中Vcc是電機(jī)能達(dá)到的最大工作電壓。
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