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理想的二極管通常具有低正向壓降、高反向截止電壓、零漏電流和低寄生電容，從而 幫助實現高開關速度。考慮正向壓降時，導致整體壓降VF的因素主要有兩個（如圖1 所示）：結點處的壓降（恢復整流二極管和齊納二極管為p-n結，肖特基整流二極管 為金屬-半導體結）；以及漂移區的壓降。p-n結的正向壓降在本質上由內置電壓決 定，因而主要由所選半導體及其摻雜質決定。另一方面，肖特基勢壘整流二極管中金 屬-半導體界面的正向壓降可通過選擇肖特基金屬來修改，而肖特基勢壘就是半導體 的金屬功函數和電子親合能之差。通過使用具有低金屬功函數的肖特基金屬，可最大 限度減少金屬半導體界面的壓降。但是，結點處的正向壓降和肖特基整流二極管的漏 電流之間存在權衡關系，因為漏電流的級別也由肖特基勢壘和金屬半導體界面的電場 決定。除了該權衡，為實現高反向截止電壓，當漂移區的厚度增加時，結點處低壓降 的優勢可能會消失。因此，肖特基整流二極管的反向截止電壓歷來限于200V以下。 這些考量因素就形成了基于最大反向電壓的分立二極管的應用技術概覽，如圖2所 示。如前所述，使用肖特基二極管時的最大反向電壓通常約為200V；當反向電壓超 過200V時，肖特基二極管就會失去其固有的優勢。此時，使用恢復整流二極管。我 們對不同開關速度的恢復整流二極管進行了區分。這種分類可參見關于動態行為的章 節(2.4)描述。碳化硅(SiC)二極管的工作范圍從650V開始。由于SiC的寬帶隙，其工作 范圍可擴展至1700V以上。圖2還顯示了一項新技術，稱為鍺化硅(SiGe)。SiGe二極管 的最大反向電壓在100-200V之間，安裝在肖特基二極管和恢復整流二極管之間的界 面附近。
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