資料介紹
NSF040L3A0是一種基于硅碳化物的1200V型電源MOSFET,其使用技術(shù)是使用多氯聯(lián)苯的安裝技術(shù),它具有3pin TO-247-3型塑膠包裝,其高電壓工業(yè)應(yīng)用,如E-車輛充電器基礎(chǔ)設(shè)施、光伏噴霧器和機(jī)動(dòng)車驅(qū)動(dòng)器,其溫度穩(wěn)定度很高。?
- N溝道40 V,2.1 mOhm,180 A邏輯電平MOSFET PSMN2R0-40YLB數(shù)據(jù)手冊(cè)
- 1200 V,80 mΩ,N溝道SiC MOSFET初步數(shù)據(jù)表
- NSF040120L4A0:1200 V,40 mΩ,N溝道SiC MOSFET初步數(shù)據(jù)表
- NSF080120L3A0:1200 V,80 mΩ,N溝道SiC MOSFET一般說明
- N 溝道 40 V 7.6mOhm 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-PSMN8R0-40PS
- LFPAK56中的N溝道 40V,1.1 mΩ、280A 邏輯電平 MOSFET,使用 NextPower-S3 Schottky-Plus 技術(shù)-PSMN1R0-40YLD
- N 溝道 LFPAK 40V,4.2mΩ 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-PSMN4R0-40YS
- N 溝道 LFPAK 40V,3.3 mΩ 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-PSMN3R3-40YS
- LFPAK56中的N溝道 40V,3.0 mΩ 邏輯電平 MOSFET-BUK9Y3R0-40E
- LFPAK56中的N溝道 40V,3.0 mΩ 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-BUK7Y3R0-40H
- LFPAK56E中的N溝道 40V,1 mΩ、290A 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET,使用 NextPower-S3 Schottky-Plus 技術(shù)-PSMN1R0-40YSH
- LFPAK56中的N溝道 40V,2.1 mΩ、180A 邏輯電平 MOSFET,使用 NextPower-S3 Schottky-Plus 技術(shù)-PSMN2R0-40YLD
- 采用 NextPower-S3 技術(shù)的 LFPAK33中的N溝道 40V,5 mΩ、邏輯電平 MOSFET-PSMN5R0-40MLH
- 采用 NextPower-S3 技術(shù)的 LFPAK33中的N溝道 40V,5 mΩ、標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-PSMN5R0-40MSH
- 30 V、P 溝道溝槽 MOSFET-PMH1200UPE
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