EG1160 是一款高性價比的多功能半橋驅動芯片，內部集成了 5V 線性電源、運放放大器、MOS 管峰值電流保護、VCC 欠壓保護、VB 欠壓保護、死區時控制電路、閉鎖電路、電平位移電路、脈沖濾波電路及輸出驅動電路，非常適合電源、電機等場合使用。
EG1160 高端的工作電壓可達 600V，低端 Vcc 的電源電壓范圍寬 10V～20，V 靜態功耗小于 1.5mA。該芯片具有閉鎖功能防止輸出功率管同時導通，輸入通道 HIN 和 LIN 內建了一個 200K 下拉電阻，在輸入懸空時使上、下功率 MOS 管處于關閉狀態,輸出電流能力 IO +/- 2A/2.5A，采用 SOP16 封裝。

EG1615 芯片是一款專用于雙向逆變器（同一套電路可作逆變器功能，又可作電池充電器功能）中的 DC
o DC 逆變升壓和電池充電管理的控制芯片，集成了兩路 600V 半橋高壓 MOS 驅動器，驅動器的輸出電流能力為+/-2A，內置四路獨立的逐周 PWM 關斷保護，可有效防止在極端情況下過高的峰值電流而損壞 MOS 的情況，另外提供了兩路 SD，分別為 SD1，和 SD2，SD1 是驅動器 1 HO1 和 LO1 的逐周關斷引腳，SD2 是驅動器2 HO2 和 LO2 的逐周關斷引腳，結合外部比較器和 SD 功能可實現過流或短路保護等功能。
EG1615 主要的功能由兩部分組成，第一部分為逆變升壓控制，主要實現將電池的低壓直流電壓轉換為高壓直流電壓，供后級 DC/AC 逆變所需的高壓；第二部分為充電器降壓控制，主要實現將市電經 PFC 升壓后的高壓直流電壓轉換為低壓直流電壓，供電池充電所需的恒壓恒流充電。

EG1615 采用了 LC 諧振型雙有源橋（DAB）拓撲結構，能實現能量雙向控制，結合 PWM 工作頻率和 LC 諧振參數的匹配，可實現開關管的軟開關控制，易于應用于高開關頻率、高效率等場合。

EG1615 作逆變升壓時，低壓側 H 橋的占空比為 50%，高壓側 H 橋用 MOS 內部的體二極管做整流輸出，
電壓反饋采用了淺閉環穩壓模式（即空載最高電壓限制，帶載開環），有效防止空載時電壓過高而導致燒器
件等現象，諧振參數由外部的 LC 進行調整，芯片可支持的 PWM 的工作頻率為 40K-150KHz，高壓側串入的電
流互感器可用于輸出短路保護。
EG1615 作充電降壓時，高壓側 H 橋的占空比為 50%，低壓側 H 橋用 MOS 內部二極管做整流輸出及 MOS
管自動跟蹤同步整流功能，充電的恒壓（CV）、恒流（CC）需 EG8026 中的 PFC 調壓功能進行配合，高壓側
串入的電流互感器可用于輸出短路保護