我們都知道 LLC 拓撲中上下管的驅動波形是有死區時間的，這一死區時間的設定是為了防止上下管 DS 電壓直通，這一功能大家都知道，但是死區時間的長短怎么設定，或者設定長了會有什么影響，設定短了會有什么影響，還有很多的驅動芯片是固定死區時間的，對于這樣的芯片我們怎么去避免死區時間的過短或者過長。要想分析清楚這一問題，首先我們得知道我們的 LLC 電源在死區時間里面做了什么，這是我們需要分析清楚的，我們看下面的圖

我們都知道 LLC 是上下管互補開通的也就是 Q1 開通的時候 Q2 關斷，Q2 開通時 Q1 關斷的重復循環過程，我們這里只分析穩態的過程。當工作在 t0-t1 階段的時候，Q1 開通 Q2 關斷時，我們的電流方向是由 A 流到 B 再到 C 到地，見下面的圖 2，在這一個過程中，我們的 A 點電壓與 B 點電壓是相等的（忽略了MOS 管的壓降），也就是 Q2 兩端壓降是等于輸入電壓 Vin

當到 t1 時刻的時候，Q1 關斷，這個時候，A 到 B 點的電流沒有了，突然為 0，而電感 Lr 與Lm 的電流是不能突變的，這個時候 Q2 兩端的電壓還是 Vin，那開關管 DS 電容電壓也是 Vin為了保持諧振腔里面的電流不變，Q2 兩端的寄生電容給諧振腔供電，等于 Q2 的寄生電容是在放電t1 到 t2 的過程中，下管 Q2 的寄生電容的電壓是在下降的（因為電容放電時，電容兩端的電壓是下降的），也就是 B 點的電壓是下降的，而 A 點電壓是不變的，Q1 開關管的 DS 電壓是在增加的，當 Q2 的 DS 電壓為 0 的時候，B 點電壓就是 0V，Q1 的電壓就是 Vin，然后到 t2 時我們的開關管 Q2 的驅動才打開，這樣才能實現零電壓開通整個的這一個過程，電流是流過了 MOS 管的 Q1 與 Q2 的 DS 的寄生電容，下管的寄生電容是放電，上管的寄生電容是充電，電流充放電見圖 3

整個的電容放電與充電過程是在死區時間里完成的，如果我們的死區時間太小了，t2 時會不會出現下管的 MOS 管里面的電容電壓沒有放電到 0V，然后開通是不是就是等于沒有實現ZVS,是不是就是一個硬開關

那怎么去判斷是不是硬開關，我們可以去看 GS 的電壓是不是有彌勒平臺，如果有彌勒平臺肯定是硬開關。也可以通過看 GS 電壓是不是在 MOS 管 DS 電壓下降到 0V 的時候才有驅動

如果出現了死區時間短的現象，我們怎么去解決了

1、首先想到的是不是加大死區時間，是可以解決這個問題的，但是有的芯片是固定死區時 間的，沒有辦法改變

2、如果是固定死區，上面有分析了電壓下降 是電容在放電，如果我們把電容容量減小是不是可以在更短的時間里把電容的電壓放完，那是不是想到換更小寄生電容的 MOS 管，這樣可以加速電容電壓下降

3、要是你不想換 MOS 管的話，也可以增大電容的放電電流，是不是也可以縮短電容放電時間，那么放電電流是由我們的諧振腔決定的，是不是可以通過改變諧振腔的參數來改變放電電流，我們通常做的辦法是吧 Lm 改小，使勵磁電流變大的方法來實現

上面是死區時間過短引起的問題與解決方法

下面來說下死區時間過長會引起什么樣的問題

我們還是來看圖 4，當 B 點電壓到-0.7V 的時候，是不是 Q2 的體內二極管導通了，導通后 B點電壓一直被鉗位在-0.7V，這個時候還沒有到 t2 時刻，Q1 兩端的電壓是 Vin+0.7V，這時候電壓是不會變了，也就是說上管 Q1 完全斷開了是不是

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