場效應管與雙極型三極管的比較：

　　1、普通三極管參與導電的，既有多數載流子，又有少數載流子，故稱為雙極型三極管；而在場效應管中只是多子參與導電，故又稱為單極型三極管。因少子濃度受溫度、輻射等因素影響較大，所以場效應管比三極管的溫度穩定性好、抗輻射能力強、噪聲系數很小。在環境條件（溫度等）變化很大的情況下應選用場效應管。

　　2、三極管是電流控制器件，通過控制基極電流到達控制輸出電流的目的。因此，基極總有一定的電流，故三極管的輸人電阻較低；場效應管是電壓控制器件，其輸出電流決定于柵源極之間的電壓，柵極基本上不取電流，因此，它的輸入電阻很高，可達109～1014Ω。高輸入電阻是場效應管的突出優點。

　　3、場效應管的漏極和源極可以互換，耗盡型絕緣柵管的柵極電壓可正可負，靈活性比三極管強。但要注意，分立的場效應管，有時已經將襯底和源極在管內短接，源極和漏極就不能互換使用了。

　　4、場效應管和三極管都可以用于放大或作可控開關。但場效應管還可以作為壓控電阻使用，可以在微電流、低電壓條件下工作，具有功耗低，熱穩定性好，容易解決散熱問題，工作電源電壓范圍寬等優點，且制作工藝簡單，易于集成化生產，因此在目前的大規模、超大規模集成電路中，MOS管占主要地位。

　　5、MOS管具有很低的級間反饋電容，一般為5—10pF，而三極管的集電結電容一般為20pF左右。

　　6、場效應管組成的放大電路的電壓放大系數要小于三極管組成放大電路的電壓放大系數。

　　7、由于MOS觀的柵源極之間的絕緣層很薄，極間電容很小，而柵源極之間電阻又很大，帶電物體靠近柵極時，柵極上感應少量電荷產生很高的電壓，就很難放掉，以至于柵源極之間的絕緣層擊穿，造成永久性損壞。因此管子存放時，應使柵極與源極短接，避免柵極懸空。尤其是焊接MOS管時，電烙鐵外殼要良好接地。

　　8、BJT是利用小電流的變化控制大電流的變化； JFET是利用PN結反向電壓對耗盡層厚度的控制，來改變導電溝道的寬窄，從而控制漏極電流的大小；MOSEFET是利用柵源電壓的大小，來改變半導體表面感生電荷的多少，從而控制漏極電流的大小。

　　OSFET用雙極性三極管的代替方法 ：

　　一般說來，雙極性三極管不能直接代替MOSFET，這是因為它們的控制特性不一樣，MOSFET是電壓控制的器件，而雙極性三極管是電流控制的器件。MOSFET的控制電路是電壓型的，雙極性三極管不能直接代換MOSFET的，原驅動 MOSFET的電路由于驅動電流太小，不足于驅動雙極性三極。要想用原電路驅動雙極性三極管，必須要在雙極性三極管之前加裝電流放大裝置。基于這個思想，在雙極性三極管之前加裝電流放大器，把電壓驅動改為了電流驅動，即可代換成功。