資料介紹
本文檔的詳細介紹的是二極管單向導電性和半導體的介紹及基本電路的詳細資料概述主要內容包括了:1.二極管單向導電性,2.半導體的基本知識(半導體材料,半導體的共價鍵結構,本征半導體,雜質半導體)3.PN結的形成及特性(PN結的形成,PN結的單向導電性,PN結的反向擊穿,PN結的電容效應)4.半導體二極管(半導體二極管的結構,二極管的伏安特性,二極管的參數)5.二極管基本電路及其分析方法(二極管V-I 特性的建模,應用舉例)6.特殊體二極管(穩壓二極管,變容二極管,光電子器件)7.場效應管放大電路(1.結型場效應管,2 砷化鎵金屬-半導體場效應管,3 金屬氧化物-半導體場效應管,4 場效應管放大電路,5各種放大器件電路性能比較)8.功率放大器(1.功率放大電路的一般問題,2. 乙類互補對稱功率放大電路,3.甲乙類互補對稱功率放大電路)
1. 二極管單向導電性
一般方法:假設法
二極管截至(較好)
二極管導通
總的原則:某一時刻,電路狀態唯一。
根據物體導電能力(電阻率)的不同,來劃分導體、絕緣體和半導體。
典型的半導體有硅Si和鍺Ge以及砷化鎵GaAs等。
半導體有溫敏、光敏和摻雜等導電特性。
本征半導體——化學成分純凈的半導體。它在物理結構上呈單晶體形態。
電子空穴對——由熱激發而產生的自由電子和空穴對。
空穴的移動——空穴的運動是靠相鄰共價鍵中的價電子依次充填空穴來實現的。
本征半導體中雖然存在兩種載流子,但因本征載流子的濃度很低,所以總的來說導電能力很差。本征半導體的載流子濃度,除與半導體材料本身的性質有關以外,還與溫度密切相關,而且隨著溫度的升高,基本上按指數規律增加。因此,本征載流子的濃度對溫度十分敏感。
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